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ilmondo

金虫 (小有名气)

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[交流] 两个关于量子阱的小问题

1.量子阱的势阱所谓的基态（n=0能级），即原阱材料的导带底真的存在吗，还是成为量子阱之后，实际上的“导带底”是n=1的导带第一子能级？（一般在室温PL发光中对应的是导带第一子能级到价带第一子能级的跃迁（n=1），由于材料组分是和禁带宽度（即导带底到价带顶的距离）一一对应起来的，那么根据发光峰的能量反推材料组分是不是有点小难？？）

2.如果我的多量子阱的势垒厚10nm，势阱厚5nm，以势垒中的波函数而言，不就有交叠么，会形成微带吗？假如有，不就会反过来影响势阱的深度嘛？

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1楼 2013-04-01 14:22:14

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ygEric

金虫 (著名写手)

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★ ★ ★ ★ ★ ★
ilmondo(金币+1): 谢谢参与
ilmondo: 金币+5, 感谢帮助哈 2013-07-24 07:48:06

1. 反推是没有严格的论证的，只不过是经验的应用而已。
2.你说的正是超晶格的问题。波函数与电子浓度分布相互影响，所以要自洽求解。

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5楼2013-04-02 16:01:21

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ilmondo

金虫 (小有名气)

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第二个问题，thx~关于第一个问题，我的意思是：比如体材料的AlxGa(1-x)As,其Eg=1.423+1.594*x+x*(1-x)*(0.127-1.31*x),Al组分x可以由测得的带隙Eg反推计算。但当它作为势阱，若室温测得的发光是导带第一子能级到价带第一子能级的距离，如果要反推Al组分x，并没有直接的公式把x和导带与价带第一子能级的差联系起来。反推起来，因为每试一个x就要算一遍量子能级的位置。

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4楼2013-04-02 12:07:29

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