| 查看: 1452 | 回复: 1 | ||
[求助]
为什么不能用CF4气体做Al膜的反应离子刻蚀
|
|
曾经听说氟化物与Al反应生成的AlF3是一种难挥发的物质~~ 之前在做Al的反应离子刻蚀的时候，不小心用成了CF4气体，接下来用Ar+刻蚀Al一点效果都没有了，请问为什么会这样哩？~请各位大神赐教 |
回复此楼» 猜你喜欢
自荐读博
已经有5人回复
-
求个博导看看
已经有16人回复
-
上海工程技术大学张培磊教授团队招收博士生
已经有4人回复
-
上海工程技术大学【激光智能制造】课题组招收硕士
已经有5人回复
-
求助院士们，这个如何合成呀
已经有4人回复
-
临港实验室与上科大联培博士招生1名
已经有9人回复
-
需要合成515-64-0，50g，能接单的留言
已经有4人回复
-
写了一篇“相变储能技术在冷库中应用”的论文，论文内容以实验为主，投什么期刊合适？
已经有6人回复
-
带资进组求博导收留
已经有10人回复
-
最近几年招的学生写论文不引自己组发的文章
已经有11人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求耐高温且不与F反应的导热性好的材料
已经有13人回复
- 湿法刻蚀硅片和铝箔用什么做掩膜比较好？
已经有4人回复
- 可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗？
已经有7人回复
- 等离子刻蚀后的废气
已经有3人回复
- 为什么用CF4和O2等离子体处理EVA后放置2小时后再涂上胶水，效果就很差？
已经有3人回复
- 【求助】氢气、氮气等离子体刻蚀硅
已经有4人回复
- 【求助】反应离子刻蚀的问题
已经有6人回复
- 【求助】硅片刻蚀
已经有4人回复
- 【求助】MPCVD等离子体熄灭问题
已经有11人回复
2楼2019-08-16 07:58:17