| 查看: 1467 | 回复: 1 | ||
[求助]
为什么不能用CF4气体做Al膜的反应离子刻蚀
|
|
曾经听说氟化物与Al反应生成的AlF3是一种难挥发的物质~~ 之前在做Al的反应离子刻蚀的时候,不小心用成了CF4气体,接下来用Ar+刻蚀Al一点效果都没有了,请问为什么会这样哩?~请各位大神赐教 |
» 猜你喜欢
情人节自我反思:在爱情中有过遗憾吗?
已经有6人回复
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有4人回复
今年春晚有几个节目很不错,点赞!
已经有6人回复
球磨粉体时遇到了大的问题,请指教!
已经有15人回复
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有5人回复
江汉大学解明教授课题组招博士研究生/博士后
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
求耐高温且不与F反应的导热性好的材料
已经有13人回复
湿法刻蚀硅片和铝箔用什么做掩膜比较好?
已经有4人回复
可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗?
已经有7人回复
等离子刻蚀后的废气
已经有3人回复
为什么用CF4和O2等离子体处理EVA后放置2小时后再涂上胶水,效果就很差?
已经有3人回复
【求助】氢气、氮气等离子体刻蚀硅
已经有4人回复
【求助】反应离子刻蚀的问题
已经有6人回复
【求助】硅片刻蚀
已经有4人回复
【求助】MPCVD等离子体熄灭问题
已经有11人回复

2楼2019-08-16 07:58:17













回复此楼