大家有没有人做过CIGS电池预制层后硒化用非真空法硒化的？我有几点疑问，想跟大家讨论一下，欢迎大家来讨论。
1，非真空硒化相对于真空硒化有哪些优点？
2，真空室中通入惰性气体（N2，Ar）后，硒源的饱和蒸汽压与真空中一样吗？非真空硒化能够抑制In2Se等挥发相的挥发吗？
我认为，真空中和惰性气体中硒的饱和蒸汽压应该是一样的，而且非真空硒化也不能抑制In2Se的挥发。希望大家能给点建议。
3，为什么在Ar气氛中硒化薄膜结晶度和晶粒尺寸增大？而且Ga的分布更加均匀？
下面是我在文献《Preparation and characterization of CuIn 1x Ga x Se 2 thin films obtained by sequential evaporations and different selenization processes》（见附件）的截图。
如图1所示，Ar气氛硒化的（112）峰半高宽减小，峰强增大。这意味着Ar气氛硒化样品结晶度和晶粒尺寸增大。而且（112）峰右移，说明有更多的Ga扩散进入薄膜形成CIGS，说明在Ar气氛硒化Ga扩散更加均匀。
如图2所示，在真空中硒化薄膜呈菜花状生长，而Ar气氛硒化薄膜生长要好得多。
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