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CIGS太阳能电池非真空硒化几点讨论
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大家有没有人做过CIGS电池预制层后硒化用非真空法硒化的?我有几点疑问,想跟大家讨论一下,欢迎大家来讨论。 1,非真空硒化相对于真空硒化有哪些优点? 2,真空室中通入惰性气体(N2,Ar)后,硒源的饱和蒸汽压与真空中一样吗?非真空硒化能够抑制In2Se等挥发相的挥发吗? 我认为,真空中和惰性气体中硒的饱和蒸汽压应该是一样的,而且非真空硒化也不能抑制In2Se的挥发。希望大家能给点建议。 3,为什么在Ar气氛中硒化薄膜结晶度和晶粒尺寸增大?而且Ga的分布更加均匀? 下面是我在文献《Preparation and characterization of CuIn 1x Ga x Se 2 thin films obtained by sequential evaporations and different selenization processes》(见附件)的截图。 如图1所示,Ar气氛硒化的(112)峰半高宽减小,峰强增大。这意味着Ar气氛硒化样品结晶度和晶粒尺寸增大。而且(112)峰右移,说明有更多的Ga扩散进入薄膜形成CIGS,说明在Ar气氛硒化Ga扩散更加均匀。 如图2所示,在真空中硒化薄膜呈菜花状生长,而Ar气氛硒化薄膜生长要好得多。 哪位大侠能够从机理上帮忙解释一下这些现象? 真空和Ar气中硒化CIGS薄膜的XRD图.png SEM图.png [ 来自科研家族 新能源家族 ] |
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2013-03-25 18:36:41, 484.26 K
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