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sunshineboy_

新虫 (小有名气)


[交流] CIGS太阳能电池非真空硒化几点讨论

大家有没有人做过CIGS电池预制层后硒化用非真空法硒化的?我有几点疑问,想跟大家讨论一下,欢迎大家来讨论。
1,非真空硒化相对于真空硒化有哪些优点?
2,真空室中通入惰性气体(N2,Ar)后,硒源的饱和蒸汽压与真空中一样吗?非真空硒化能够抑制In2Se等挥发相的挥发吗?
我认为,真空中和惰性气体中硒的饱和蒸汽压应该是一样的,而且非真空硒化也不能抑制In2Se的挥发。希望大家能给点建议。
3,为什么在Ar气氛中硒化薄膜结晶度和晶粒尺寸增大?而且Ga的分布更加均匀?
下面是我在文献《Preparation and characterization of CuIn 1x Ga x Se 2 thin films obtained by sequential evaporations and different selenization processes》(见附件)的截图。
如图1所示,Ar气氛硒化的(112)峰半高宽减小,峰强增大。这意味着Ar气氛硒化样品结晶度和晶粒尺寸增大。而且(112)峰右移,说明有更多的Ga扩散进入薄膜形成CIGS,说明在Ar气氛硒化Ga扩散更加均匀。
如图2所示,在真空中硒化薄膜呈菜花状生长,而Ar气氛硒化薄膜生长要好得多。

哪位大侠能够从机理上帮忙解释一下这些现象?
真空和Ar气中硒化CIGS薄膜的XRD图.png



SEM图.png



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zemix

铜虫 (小有名气)


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sunshineboy_: 金币+1 2013-03-28 21:02:38
这个比较复杂,我没坐过非真空的,不过有几点可以考虑
非真空Ar在高温下对膜表面的冲击
非真空加热的表面受热和真空不一样,就是说热传导到膜上的过程不是很一样
对In挥发却是有影响
实验的重复性也要考虑
4楼2013-03-28 09:41:15
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小王子晨光

铜虫 (小有名气)


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sunshineboy_: 金币+1 2013-03-28 21:02:52
我认为在不同的氛围条件下,特别是Se的energy会很不同。可能会导致薄膜内元素的从新分布。这个问题比较复杂,但是有一点可以肯定,对In挥发是有影响的。
5楼2013-03-28 12:44:49
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sunshineboy_

新虫 (小有名气)


引用回帖:
4楼: Originally posted by zemix at 2013-03-28 09:41:15
这个比较复杂,我没坐过非真空的,不过有几点可以考虑
非真空Ar在高温下对膜表面的冲击
非真空加热的表面受热和真空不一样,就是说热传导到膜上的过程不是很一样
对In挥发却是有影响
实验的重复性也要考虑

对In的挥发有什么影响呢?为什么呢?
6楼2013-03-28 21:04:51
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sunshineboy_

新虫 (小有名气)


引用回帖:
5楼: Originally posted by 小王子晨光 at 2013-03-28 12:44:49
我认为在不同的氛围条件下,特别是Se的energy会很不同。可能会导致薄膜内元素的从新分布。这个问题比较复杂,但是有一点可以肯定,对In挥发是有影响的。

对In的挥发有什么影响?又是怎么影响的呢?
7楼2013-03-28 21:06:06
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fyz72322楼
2013-03-26 09:02   回复  
dpc1103楼
2013-03-26 10:19   回复  
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