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直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重 已有1人参与
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| 各位虫友,我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方,基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa,Ar:1000 sccm, 功率为7kw,最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中,靶阳极上镀上的硅会发生脱落,落在基片上,在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗?怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落?谢谢大家帮忙 |
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12楼2012-12-30 17:20:35
xjtu-sunhl
金虫 (正式写手)
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- 专业: 金属材料表面科学与工程
2楼2012-12-29 09:13:11
3楼2012-12-29 13:13:25
4楼2012-12-29 21:24:58














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