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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP-vdW修正问题
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likai0106

金虫 (小有名气)

[求助] VASP-vdW修正问题 已有1人参与

看了一下vasp加入范式力修正的东西，计算的结果感觉有点错误，不知道错在哪里请各位帮助。
本人计算金属表面吸附气体小分子
修正前的吸附能为-0.02eV
修正后的吸附能为-0.3eV
吸附能的公式：
吸附能E=E(吸附体系能量)-E(分子体系能量)-E(没有吸附的表面能)
如果E(没有吸附的表面能)取修正前的话，E(吸附体系能量用修正后的)就会得到
-4.4eV的吸附能，比化学吸附的分子还强。
如果E(没有吸附的表面能)取修正前的话，吸附能就是-0.3eV。
问题是：范式力的修正不是针对分子间的长程作用么？为什么金属表面加入范式修正后能量会产生变化呢？在算吸附能的后面减去的表面能量是修正前的还是修正后的。如果范式力的作用使表面能量差这么多，那以后的化学吸附是不是也要考虑啊？

下面为我取的范式力的参数：
LVDW=.Ture.
VDW_RADIUS=10 (因为真空是12A，为了避免考虑进去两层间的作用所以将考虑范围缩小到了10A. 默认是30A都测试过能量差0.1eV)
VDW_SCALING=0.75
VDW_D=20.0
VDWC6=1.75 0.14 24.67 10.80
VDW_R0=1.452 1.001 1.639 1.562
望高手赐教!
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1楼 2012-12-28 14:33:14
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

rainxin2008

新虫 (小有名气)
讨论范德华力的帖子不多，而且都没深入讨论过，我发的帖子也没几个回复的
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5楼2012-12-28 15:12:30
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wei.ji

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
likai0106: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-12-30 09:18:38
dft-d里面的d只是个半经验修正项。说得直白一点，那项本质上是凑数，物理意义并不明确。不能因为dispersion修正之后吸附能变大了就认为吸附是dispersion的作用。

你这里的吸附能，应该取-0.3eV。另外，化学吸附如果讨论吸附能，还是需要做下修正，如果讨论其他的，基本无所谓。

有空的话可以参考：http://arxiv.org/abs/1205.6065 (现在是v2，正在写v3) 和 http://prl.aps.org/abstract/PRL/v104/i9/e099703
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http://sim.phys.ruc.edu.cn
11楼2012-12-29 22:12:56
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普通回帖

rainxin2008

新虫 (小有名气)
我最近也在算这个，可是没有给出周期表前五行元素之后元素的C6和R0的值，所以用的是同主族元素的值代替的。我也考虑了吸附基体能量的修正，要不然能量差的很大。
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2楼2012-12-28 14:54:07
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likai0106

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by rainxin2008 at 2012-12-28 14:54:07
我最近也在算这个，可是没有给出周期表前五行元素之后元素的C6和R0的值，所以用的是同主族元素的值代替的。我也考虑了吸附基体能量的修正，要不然能量差的很大。

是啊，我在想那分子分解后化学吸附的中间态的计算基体的能量还需要考虑么？如果考虑则整个计算就复杂了，如果不考虑，能量差那么大又感觉不可靠。不知道到底怎么处理啊。
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3楼2012-12-28 15:07:57
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rainxin2008

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by likai0106 at 2012-12-28 15:07:57
是啊，我在想那分子分解后化学吸附的中间态的计算基体的能量还需要考虑么？如果考虑则整个计算就复杂了，如果不考虑，能量差那么大又感觉不可靠。不知道到底怎么处理啊。...

我觉得如果要考虑VDW修正，则吸附分子的能量计算时要考虑，基体能量也要考虑，总体系也要考虑，这样才能抵消掉。
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4楼2012-12-28 15:10:53
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likai0106

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by rainxin2008 at 2012-12-28 15:10:53
我觉得如果要考虑VDW修正，则吸附分子的能量计算时要考虑，基体能量也要考虑，总体系也要考虑，这样才能抵消掉。...

那如果是像CH3吸附呢，还需要考虑这个VDW修正么？还有我看了一下那个衰减系数VDW_D=20.0对能量影响很大，取多少才能算一个比较合理的修正？
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6楼2012-12-28 15:14:02
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rainxin2008

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
likai0106: 金币+1, ★有帮助 2012-12-28 15:26:39
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-12-29 19:40:35
引用回帖:
6楼: Originally posted by likai0106 at 2012-12-28 15:14:02
那如果是像CH3吸附呢，还需要考虑这个VDW修正么？还有我看了一下那个衰减系数VDW_D=20.0对能量影响很大，取多少才能算一个比较合理的修正？...

其实我也是CH3吸附，像VASP手册中给的设置，我都是用的默认的值，没有改动。你说的那个衰减系数VDW_D=20.0对能量影响很大，是从哪里看到的？我也想找些相关的东西学学
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7楼2012-12-28 15:22:32
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likai0106

金虫 (小有名气)
引用回帖:
7楼: Originally posted by rainxin2008 at 2012-12-28 15:22:32
其实我也是CH3吸附，像VASP手册中给的设置，我都是用的默认的值，没有改动。你说的那个衰减系数VDW_D=20.0对能量影响很大，是从哪里看到的？我也想找些相关的东西学学...

我自己手动的改了一下，我看那个参数是控制在一定距离范围内让范式作用减小，特别是在成键的范围内变的很小，所以这个参数应该和体系有关习。还有那个VDW_RADIUS这个参数是考虑范式作用的范围。
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8楼2012-12-28 15:26:28
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rainxin2008

新虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by likai0106 at 2012-12-28 15:26:28
我自己手动的改了一下，我看那个参数是控制在一定距离范围内让范式作用减小，特别是在成键的范围内变的很小，所以这个参数应该和体系有关习。还有那个VDW_RADIUS这个参数是考虑范式作用的范围。...

你QQ号多少，我加你咱交流一下
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9楼2012-12-28 15:28:36
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likai0106

金虫 (小有名气)
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10楼2012-12-28 15:33:02
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