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关于陶瓷材料致密度和组织均匀化的问题
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大家好！ 最近氧化物半导体陶瓷材料，存在一些问题，想请教下各位。 制备方法：氧化物高温烧结，并且成型后也有等静压。 问题是： 1、陶瓷的致密度不够好，通过SEM观察发现存在较大的空隙，并且空隙不均匀。 2、陶瓷的晶粒长相方向不一致，看起来横竖排列的都有，并且晶粒大小不均匀，有大有小，是不是也导致致密度不高。 3、有的样品可以明显看到较大的空隙，表观密度也比较小，不知道是不是等静压的时候进油还是其他啥原因？ 想请教下各位，怎样才能提高材料的致密度和组织均匀化？谢谢各位大侠! |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
wjhxjdx: 金币+4, 你说的很对，但是理论上，我想解决实际问题 我怎么控制 或是怎么调整 烧结温度 2012-11-28 15:18:57
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
wjhxjdx: 金币+4, 你说的很对，但是理论上，我想解决实际问题 我怎么控制 或是怎么调整 烧结温度 2012-11-28 15:18:57
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过烧，就是表面你的烧结时间过长或者烧结温度过高，造成个别大颗粒异常长大，里面的气孔反而不是收缩，而且长大，最终致密度下降。一测SEM很明显的，或者用墨汁简单测试 烧成温度较高的样品，收缩率大，出现变形及粘结现象，颜色较深，易折断，断面粗糙或者很亮。断面粗糙，表明晶粒长大后结晶各向异性，影响了晶粒间的结合，这时，折断是晶粒与晶粒之间的分离，此种断面凹凸不平，无光泽。如果断面很亮，则表示折断是由于晶粒本身的断裂，但很易折断的事实又说明晶粒本身已有很多缺陷。 烧结是个致密化与晶粒长大同时进行的过程，两者是竞争关系……烧结后期一般都会有正常的晶粒长大，且由晶界迁移引起，晶界迁移本身是一个热激活的机制，如果温度过高，导致晶粒长大过快，气孔就来不及排出烧结体而被“埋\"在晶粒内部，导致致密度下降，一般来说这种情况下气孔会以闭孔为主，而且晶粒个儿也挺大的吧  不知道说的对不对，仅供参考[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
9楼2012-11-28 14:05:23
2楼2012-11-28 10:57:01
wjhxjdx3楼2012-11-28 11:28:50
4楼2012-11-28 11:38:43
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sypppt11楼
2012-11-28 15:29
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