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[交流]
关于陶瓷材料致密度和组织均匀化的问题
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大家好! 最近氧化物半导体陶瓷材料,存在一些问题,想请教下各位。 制备方法:氧化物高温烧结,并且成型后也有等静压。 问题是: 1、陶瓷的致密度不够好,通过SEM观察发现存在较大的空隙,并且空隙不均匀。 2、陶瓷的晶粒长相方向不一致,看起来横竖排列的都有,并且晶粒大小不均匀,有大有小,是不是也导致致密度不高。 3、有的样品可以明显看到较大的空隙,表观密度也比较小,不知道是不是等静压的时候进油还是其他啥原因? 想请教下各位,怎样才能提高材料的致密度和组织均匀化?谢谢各位大侠! |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
wjhxjdx: 金币+4, 你说的很对,但是理论上,我想解决实际问题 我怎么控制 或是怎么调整 烧结温度 2012-11-28 15:18:57
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
wjhxjdx: 金币+4, 你说的很对,但是理论上,我想解决实际问题 我怎么控制 或是怎么调整 烧结温度 2012-11-28 15:18:57
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过烧,就是表面你的烧结时间过长或者烧结温度过高,造成个别大颗粒异常长大,里面的气孔反而不是收缩,而且长大,最终致密度下降。一测SEM很明显的,或者用墨汁简单测试 烧成温度较高的样品,收缩率大,出现变形及粘结现象,颜色较深,易折断,断面粗糙或者很亮。断面粗糙,表明晶粒长大后结晶各向异性,影响了晶粒间的结合,这时,折断是晶粒与晶粒之间的分离,此种断面凹凸不平,无光泽。如果断面很亮,则表示折断是由于晶粒本身的断裂,但很易折断的事实又说明晶粒本身已有很多缺陷。 烧结是个致密化与晶粒长大同时进行的过程,两者是竞争关系……烧结后期一般都会有正常的晶粒长大,且由晶界迁移引起,晶界迁移本身是一个热激活的机制,如果温度过高,导致晶粒长大过快,气孔就来不及排出烧结体而被“埋\"在晶粒内部,导致致密度下降,一般来说这种情况下气孔会以闭孔为主,而且晶粒个儿也挺大的吧 不知道说的对不对,仅供参考[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
9楼2012-11-28 14:05:23
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 奖励详细回帖 2012-11-28 13:11:16
wjhxjdx: 金币+10, 谢谢提醒,我没造粒,也没注意 D50是否正态分布。一直搞不明白 D90作用是控制在多少比较好呢 2012-11-28 13:53:41
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 奖励详细回帖 2012-11-28 13:11:16
wjhxjdx: 金币+10, 谢谢提醒,我没造粒,也没注意 D50是否正态分布。一直搞不明白 D90作用是控制在多少比较好呢 2012-11-28 13:53:41
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材料成型这些事我在无机非论坛说了多次了 如果单纯从混料角度来说分散 1)粉料+添加剂→搅拌磨喷雾造粒 2)如果实验室没有喷雾造粒,可以湿法造粒,即粉料+添加剂,用酒精和水1:1混匀在球磨机中搅拌30m-1h,然后烘干过筛造粒 这样能保证均匀 从晶粒角度讲 你的D50是否是很好的正态分布,还有D90怎么样你心里必须有数 至于等静压出来坯体 我的想法是,你是不是烧结过头了,或者压根排胶不到位 这些影响因素很多 需要楼主细说 当然讨论问题对事不对人 |
7楼2012-11-28 13:04:11
15楼2012-11-28 21:24:45
16楼2012-11-28 21:29:08
2楼2012-11-28 10:57:01
3楼2012-11-28 11:28:50
4楼2012-11-28 11:38:43
5楼2012-11-28 12:02:17
10楼2012-11-28 15:15:37
12楼2012-11-28 15:39:55
13楼2012-11-28 15:45:34
14楼2012-11-28 16:42:25
17楼2012-11-29 10:43:19
18楼2012-11-29 10:45:21
19楼2012-11-29 10:46:36
20楼2012-11-29 10:48:45
21楼2012-11-29 14:58:53
22楼2012-11-29 18:24:03
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28楼2014-08-12 12:24:11
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