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Gina88

木虫 (正式写手)

[求助] 优化时真空层缩小,怎么处理啊?

我建了一个低维的结构,真空层是15A,然后用的全优化,但是优化后真空层变成8A了。
大侠们有没有遇到过这种情况啊,如果出现这种情况怎么办啊,出现这种情况对计算究竟有多大的影响呢?
这是不是说明低维结构不能用全优化的方法优化啊?

先谢谢大侠了!
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likai0106

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
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Gina88: 金币+1 2012-11-27 15:46:30
fzx2008: 金币+1, 谢谢交流! 2012-11-27 20:35:28
在INCAR中用ISIF=2不行么?
2楼2012-11-27 07:41:13
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Gina88

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by likai0106 at 2012-11-27 07:41:13
在INCAR中用ISIF=2不行么?

用2的话,那没有真空的方向就不能全优化了啊。没有真空的方向,那个长度不一定是最稳定的长度啊。
3楼2012-11-27 15:46:16
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likai0106

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教! 2012-11-27 20:35:54
Gina88: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-11-28 08:39:33
引用回帖:
3楼: Originally posted by Gina88 at 2012-11-27 15:46:16
用2的话,那没有真空的方向就不能全优化了啊。没有真空的方向,那个长度不一定是最稳定的长度啊。...

对于上述问题个人建议有两种解决方案
第一,如果你做的薄膜有体结构的话,在体结构下就弛豫好,之后再选取表面,这样算比较可靠。因为如果你拿单层计算在不同的性质下真空肯定会变化。
第二就是该程序,修改vasp中的源代码,让他只在两个方向上进行弛豫。缺点就是表面突起可能呗忽略。
4楼2012-11-27 16:45:21
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Gina88

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by likai0106 at 2012-11-27 16:45:21
对于上述问题个人建议有两种解决方案
第一,如果你做的薄膜有体结构的话,在体结构下就弛豫好,之后再选取表面,这样算比较可靠。因为如果你拿单层计算在不同的性质下真空肯定会变化。
第二就是该程序,修改vasp ...

第一:可是体结构是从MS中现成的结构得到的啊,MS中的结构不是已经很标准了吗,从MS得到的体结构到VASP中后还需要优化吗?而且从体结构裁出的低维结构,周围的情况完全变了,所以我觉得也还是需要优化啊,您觉得呢?
第二:能不能详细一些说说怎么修改vasp源代码啊?是不是修改了vasp源代码后,还需要重新装vasp啊?
第三:除了这两个方法外,没有别的解决办法了呢?我看了看ISIF表格,3表示形状体系都变,而4是只变形状不变体积,是不是将3改成4,真空变化就可以忽略了呢?
第四:其实我的目的是不希望形状变化,希望里面的离子可以沿任意方向弛豫,我更希望体积变化。因为这样,无真空层的方向变化应该很小,而有真空层的方向按比例也应该变化很小,我想对计算就应该不会有多大的影响了,可是ISIF没有这个选项。
5楼2012-11-28 08:50:43
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beefly

专家顾问 (职业作家)

地沟油冶炼专家

引用回帖:
3楼: Originally posted by Gina88 at 2012-11-27 15:46:16
用2的话,那没有真空的方向就不能全优化了啊。没有真空的方向,那个长度不一定是最稳定的长度啊。...

逻辑问题:真空层的晶格长度不应该被优化,如果被优化了就不存在真空层了。

只能优化真空层的原子坐标
beefly《西太平洋大学现代英汉词典》[bi:fli]牛肉一般地
6楼2012-11-28 09:30:19
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Gina88

木虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by beefly at 2012-11-28 09:30:19
逻辑问题:真空层的晶格长度不应该被优化,如果被优化了就不存在真空层了。

只能优化真空层的原子坐标...

嗯,我也觉得真空层方向的晶格长度不应该被优化,但是真空层原子坐标还是需要优化的。
可是问题是:如果不用ISIF=2,该怎么实现这个目的呢?
7楼2012-11-28 10:16:01
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likai0106

金虫 (小有名气)

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★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
Gina88: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-11-29 14:21:28
fzx2008: 金币+4, 谢谢指教! 2012-11-29 16:41:07
引用回帖:
5楼: Originally posted by Gina88 at 2012-11-28 08:50:43
第一:可是体结构是从MS中现成的结构得到的啊,MS中的结构不是已经很标准了吗,从MS得到的体结构到VASP中后还需要优化吗?而且从体结构裁出的低维结构,周围的情况完全变了,所以我觉得也还是需要优化啊,您觉得呢 ...

第一,首先MS导出的结构不一定是最优的,多少和优化的有区别。
第二,改源代码的vasp一定是重新编译,constr_cell_relax.F中,楼主看注释,就能知道,比较简单
第三,这个我没有试过,建议楼主试一下,有结果请楼主通知我一下,我也学习一下,谢谢。
第四,对于楼主研究的体系,我个人认为离子在表面的移动应该不会很大,如果离子在表面移动过大,就是重构结构了,而且咱们研究的是周期性的结构所以我认为对楼主性质的影响不是很大的。
8楼2012-11-29 08:23:09
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cclw

新虫 (小有名气)

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Gina88: 金币+2, ★★★很有帮助 2012-11-29 14:23:37
fzx2008: 金币+1, 谢谢指教! 2012-11-29 16:41:31
解决的方法用ISIF=2,ISIF=2与3的差别就是基矢是否优化。
对于二维材料,真空方向(假定是c方向)优化是没有物理意义的。楼主可以在ISIF=2的情况下,先粗略优化原子坐标;然后修改并优化基矢a和b,就可以得到最终的优化结果。

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9楼2012-11-29 08:44:58
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ice_rain

铁杆木虫 (正式写手)

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Gina88: 金币+1, ★★★很有帮助 2012-11-29 14:24:12
fzx2008: 金币+1, 谢谢指教! 2012-11-29 16:41:37
不要优化真空层方向的轴,只优化 平面 两个轴。
10楼2012-11-29 12:54:39
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