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Gina88

木虫 (正式写手)

[求助] 优化时真空层缩小,怎么处理啊?

我建了一个低维的结构,真空层是15A,然后用的全优化,但是优化后真空层变成8A了。
大侠们有没有遇到过这种情况啊,如果出现这种情况怎么办啊,出现这种情况对计算究竟有多大的影响呢?
这是不是说明低维结构不能用全优化的方法优化啊?

先谢谢大侠了!
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likai0106

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教! 2012-11-27 20:35:54
Gina88: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-11-28 08:39:33
引用回帖:
3楼: Originally posted by Gina88 at 2012-11-27 15:46:16
用2的话,那没有真空的方向就不能全优化了啊。没有真空的方向,那个长度不一定是最稳定的长度啊。...

对于上述问题个人建议有两种解决方案
第一,如果你做的薄膜有体结构的话,在体结构下就弛豫好,之后再选取表面,这样算比较可靠。因为如果你拿单层计算在不同的性质下真空肯定会变化。
第二就是该程序,修改vasp中的源代码,让他只在两个方向上进行弛豫。缺点就是表面突起可能呗忽略。
4楼2012-11-27 16:45:21
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likai0106

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Gina88: 金币+1 2012-11-27 15:46:30
fzx2008: 金币+1, 谢谢交流! 2012-11-27 20:35:28
在INCAR中用ISIF=2不行么?
2楼2012-11-27 07:41:13
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Gina88

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by likai0106 at 2012-11-27 07:41:13
在INCAR中用ISIF=2不行么?

用2的话,那没有真空的方向就不能全优化了啊。没有真空的方向,那个长度不一定是最稳定的长度啊。
3楼2012-11-27 15:46:16
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Gina88

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by likai0106 at 2012-11-27 16:45:21
对于上述问题个人建议有两种解决方案
第一,如果你做的薄膜有体结构的话,在体结构下就弛豫好,之后再选取表面,这样算比较可靠。因为如果你拿单层计算在不同的性质下真空肯定会变化。
第二就是该程序,修改vasp ...

第一:可是体结构是从MS中现成的结构得到的啊,MS中的结构不是已经很标准了吗,从MS得到的体结构到VASP中后还需要优化吗?而且从体结构裁出的低维结构,周围的情况完全变了,所以我觉得也还是需要优化啊,您觉得呢?
第二:能不能详细一些说说怎么修改vasp源代码啊?是不是修改了vasp源代码后,还需要重新装vasp啊?
第三:除了这两个方法外,没有别的解决办法了呢?我看了看ISIF表格,3表示形状体系都变,而4是只变形状不变体积,是不是将3改成4,真空变化就可以忽略了呢?
第四:其实我的目的是不希望形状变化,希望里面的离子可以沿任意方向弛豫,我更希望体积变化。因为这样,无真空层的方向变化应该很小,而有真空层的方向按比例也应该变化很小,我想对计算就应该不会有多大的影响了,可是ISIF没有这个选项。
5楼2012-11-28 08:50:43
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