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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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明月秋风寒

铁虫 (初入文坛)

[交流] TMAH腐蚀硅片时保护硅片表面的铝电极 已有4人参与

小弟在做MEMS工艺时由于操作失误,在还没有进行TMAH腐蚀时把光刻胶去掉了,由于硅片表面有台阶结构,因此不能再次甩胶了。文献上说TMAH腐蚀铝的速率基本为0,但是为了保险起见,还是想在TMAH腐蚀硅前在表面增加一层保护铝电极的的保护层,各位大神有好的建议吗?
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yswyx

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引用回帖:
7楼: Originally posted by 博士_14 at 2014-07-30 09:14:32
你好,我用5%的TMAH腐蚀液腐蚀体硅,结果发现是各向同性腐蚀。。。。会是哪方面出现问题了?...

你是怎么判断出事各向同性的呢???
有图最好。
9楼2014-07-30 18:04:08
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exciting1973

禁虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
本帖内容被屏蔽

2楼2012-11-08 10:17:18
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yswyx

专家顾问 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
TMAH是腐蚀铝的,速度肯定比硅快,哪个文献上说不腐蚀的?尽胡扯啊。
如果你需要保护铝膜,可以用PECVD在硅片上做一层SiO和SiN(无氢),然后用光刻,腐蚀,在需要腐蚀硅的位置,把SiO/SiN薄膜用HF腐蚀出窗口。然后再进行TMAH的腐蚀,铝膜会被SiO/SiN保护起来。这里要注意的是,PECVD的薄膜会有针孔以及含H,所以很疏松,你要找能够做不含H的PECVD做。

另外一个办法就是找抗碱的光刻胶,用spray coating的办法喷到片子表面,然后做光刻,露出需要时腐蚀的硅的部分,再去做TMAH腐蚀。

另外,这个方法你是逃不掉的,因为普通的光刻胶是扛不住TMAH的,所以你在腐蚀前把做铝膜的光刻胶去掉是必须的,这不属于失误。

最后,需要注意的是,你算好腐蚀的深度,算好腐蚀的时间,来确定SiO/SiN薄膜的厚度,或者是抗碱光刻胶的厚度。
3楼2012-11-08 15:39:23
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明月秋风寒

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-08 15:39:23
TMAH是腐蚀铝的,速度肯定比硅快,哪个文献上说不腐蚀的?尽胡扯啊。
如果你需要保护铝膜,可以用PECVD在硅片上做一层SiO和SiN(无氢),然后用光刻,腐蚀,在需要腐蚀硅的位置,把SiO/SiN薄膜用HF腐蚀出窗口。然后 ...

谢谢,我试一下。有其他问题还得请教您
4楼2012-11-09 12:06:00
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