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TMAH腐蚀硅片时保护硅片表面的铝电极 已有4人参与
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| 小弟在做MEMS工艺时由于操作失误，在还没有进行TMAH腐蚀时把光刻胶去掉了，由于硅片表面有台阶结构，因此不能再次甩胶了。文献上说TMAH腐蚀铝的速率基本为0，但是为了保险起见，还是想在TMAH腐蚀硅前在表面增加一层保护铝电极的的保护层，各位大神有好的建议吗？ |
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 yswyx关于腐蚀/刻蚀的回复 |
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4楼2012-11-09 12:06:00
exciting1973 
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2楼2012-11-08 10:17:18
yswyx 
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TMAH是腐蚀铝的，速度肯定比硅快，哪个文献上说不腐蚀的？尽胡扯啊。 如果你需要保护铝膜，可以用PECVD在硅片上做一层SiO和SiN（无氢），然后用光刻，腐蚀，在需要腐蚀硅的位置，把SiO/SiN薄膜用HF腐蚀出窗口。然后再进行TMAH的腐蚀，铝膜会被SiO/SiN保护起来。这里要注意的是，PECVD的薄膜会有针孔以及含H，所以很疏松，你要找能够做不含H的PECVD做。 另外一个办法就是找抗碱的光刻胶，用spray coating的办法喷到片子表面，然后做光刻，露出需要时腐蚀的硅的部分，再去做TMAH腐蚀。 另外，这个方法你是逃不掉的，因为普通的光刻胶是扛不住TMAH的，所以你在腐蚀前把做铝膜的光刻胶去掉是必须的，这不属于失误。 最后，需要注意的是，你算好腐蚀的深度，算好腐蚀的时间，来确定SiO/SiN薄膜的厚度，或者是抗碱光刻胶的厚度。 |
3楼2012-11-08 15:39:23
yswyx
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