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什么是外延法制备薄膜？不是外延法是什么方法？？
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| 外延法制备薄膜是什么意思？非外延法有哪些，有什么区别？做出来的薄膜性能有什么区别？？？ |
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 薄膜 |
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wu1008
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2楼2012-10-25 11:14:59
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【答案】应助回帖
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广泛的说，沿着衬底现有晶格生长的都叫外延，而类似的方法，但对应的不沿着晶格长的，大部分都叫沉积。 至于沉积的方法就很多了，CVD，PVD，ALD，各种D不一而足。 而对于薄膜来说，制造的方法更加多了，无机的可以蒸发，溅射，有机的可以旋涂喷涂，还有各种镀的手段。 外延的主要作用是制造两种不同材料或属性的单晶界面，至于应用，主要有异质结或者是硅片上的P＋或者N+，更具体的应用就五花八门了。主要抓住界面来理解就好。 其它的绝大部分薄膜手段都不是以界面为需求的，而是薄膜材料本身的性质。 单晶界面的制造手段还有类似SOI的键合方法，但是由于成本和工艺结果的限制，和外延的应用领域完全不同。 可以翻番半导体工艺的书，把薄膜这一章读读，大概就有概念了。 |
4楼2012-10-25 18:35:35
haodong1121
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【答案】应助回帖
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外延的英文是epitaxy，其本意是指“（在衬底的）上方排列”。顾名思义，就是一层一层地排列出单晶薄膜，即整个薄膜就是一取向一致的单晶。 非外延法就多了，因为毕竟不像单晶的要求那么严格，真空蒸镀（物理气相沉积、化学气相沉积）、溅射、电镀、旋涂、喷涂…… 顺便说一点，外延除了制备薄膜手段严格外，对衬底的选择也很有限，因为想要外延单晶膜，必须消除因晶格失配带来的应力影响，因此衬底的晶格常数必须与薄膜的数值相同或尽量一致。 对于制备超晶格和量子阱/量子点材料而言，外延不可或缺。但是相对于沉积，外延速率是很慢的。 以上文字希望能帮到楼主。 |
5楼2012-10-26 10:15:28
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