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什么是外延法制备薄膜?不是外延法是什么方法??
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| 外延法制备薄膜是什么意思?非外延法有哪些,有什么区别?做出来的薄膜性能有什么区别??? |
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silveruranus
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3楼2012-10-25 13:47:18
wu1008
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【答案】应助回帖
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广泛的说,沿着衬底现有晶格生长的都叫外延,而类似的方法,但对应的不沿着晶格长的,大部分都叫沉积。 至于沉积的方法就很多了,CVD,PVD,ALD,各种D不一而足。 而对于薄膜来说,制造的方法更加多了,无机的可以蒸发,溅射,有机的可以旋涂喷涂,还有各种镀的手段。 外延的主要作用是制造两种不同材料或属性的单晶界面,至于应用,主要有异质结或者是硅片上的P+或者N+,更具体的应用就五花八门了。主要抓住界面来理解就好。 其它的绝大部分薄膜手段都不是以界面为需求的,而是薄膜材料本身的性质。 单晶界面的制造手段还有类似SOI的键合方法,但是由于成本和工艺结果的限制,和外延的应用领域完全不同。 可以翻番半导体工艺的书,把薄膜这一章读读,大概就有概念了。 |
4楼2012-10-25 18:35:35
haodong1121
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【答案】应助回帖
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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-27 09:31:51
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外延的英文是epitaxy,其本意是指“(在衬底的)上方排列”。顾名思义,就是一层一层地排列出单晶薄膜,即整个薄膜就是一取向一致的单晶。 非外延法就多了,因为毕竟不像单晶的要求那么严格,真空蒸镀(物理气相沉积、化学气相沉积)、溅射、电镀、旋涂、喷涂…… 顺便说一点,外延除了制备薄膜手段严格外,对衬底的选择也很有限,因为想要外延单晶膜,必须消除因晶格失配带来的应力影响,因此衬底的晶格常数必须与薄膜的数值相同或尽量一致。 对于制备超晶格和量子阱/量子点材料而言,外延不可或缺。但是相对于沉积,外延速率是很慢的。 以上文字希望能帮到楼主。 |

5楼2012-10-26 10:15:28













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