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moonwy

金虫 (初入文坛)

[交流] [求助]PECVD 溅射SiN 已有3人参与

在硅片上刻蚀5um间隔,30um深的栅线后,再用PECVD溅射一层SiN,不知道SiN的均匀性和绝缘性咋样?栅线的棱角处能溅射上SiN吗? 请高手指点下,谢谢。
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moonwy

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-10-19 11:02:40
PECVD也能溅射?

叫生长更贴切,呵呵
3楼2012-10-19 19:16:32
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yswyx

专家顾问 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
棱角处没问题,可以溅射上。
均匀性主要是侧壁和底部不如顶部,具体的比例要实验。如果你对均匀性要求高,不如选择热氧化。
绝缘性能完全取决于SiN的厚度,厚度越厚,击穿电压越高,每纳米的伏特值可以翻一下相应的工艺书。一般常用的半导体场合,几千A就好。
4楼2012-10-20 09:50:40
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moonwy

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2012-10-20 09:50:40
棱角处没问题,可以溅射上。
均匀性主要是侧壁和底部不如顶部,具体的比例要实验。如果你对均匀性要求高,不如选择热氧化。
绝缘性能完全取决于SiN的厚度,厚度越厚,击穿电压越高,每纳米的伏特值可以翻一下相应 ...

非常感谢。
5楼2012-10-22 08:25:08
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windyswust

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我主要是来看楼主的PECVD溅射的问题,我也愣大法了。CVD和溅射有关系吗?
一步一个脚印
6楼2012-11-13 11:21:36
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