应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 硅 湿法刻蚀 掩膜
52/1返回列表
查看: 3435  |  回复: 11
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

[求助] 硅 湿法刻蚀 掩膜

各位师兄师姐好，请问硅湿法刻蚀40微米深，用哪种材料做掩膜比较结实，不宜被腐蚀掉，谢谢，如果有，请提供刻蚀方法，我会追加金币的。
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
1楼 2012-09-28 18:19:39
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

3mper

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by hello_Jzz at 2014-10-11 10:33:03
这位师兄，你好，请问如果用光刻胶做掩膜，用ICP刻蚀，这个过程，不会对光刻胶造成损坏吗？
我现在遇到一个问题，我的硅片是500微米厚加300nm后的SiO2，现在想在上面腐蚀出一个600微米大的窗口，但是只腐蚀Si，保 ...

我也想知道，有什么消息可以通知下吗

发自小木虫Android客户端
赞一下 回复此楼
12楼2016-12-08 21:45:57
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 12 个回答

yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那就用25％的TMAH。

其实如果你做的片子少，就没必要用腐蚀，因为LPCVD很贵的。我倒建议直接用光刻胶做掩蔽层，做ICP刻蚀，这样侧壁还陡直。
赞一下(4人) 回复此楼
2楼2012-09-28 19:36:33
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

多谢啦！
回复此楼
3楼2012-10-04 21:40:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

再问一下，如果先长氧化硅，再氮化硅，光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜（也就是该怎么刻蚀这两种掩膜），才能进行最后KOH刻蚀硅。
赞一下 回复此楼
4楼2012-10-04 21:46:02
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 12 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[找工作] 售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急 +4 ZYXdhzDAy9ZX 2026-09-28 4/200 2026-09-29 16:54 by yCO1Ll7aHtsw
[考博] 售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急 +4 ZYXdhzDAy9ZX 2026-09-28 4/200 2026-09-29 16:47 by yCO1Ll7aHtsw
[考研] 售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急 +3 ZYXdhzDAy9ZX 2026-09-28 4/200 2026-09-29 16:37 by etmYJ6d2rquH
[考博] 售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急 +3 tqUTOxClQUMF 2026-09-28 3/150 2026-09-29 15:46 by etmYJ6d2rquH
[论文投稿] 售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急 +4 tqUTOxClQUMF 2026-09-28 4/200 2026-09-29 15:15 by etmYJ6d2rquH
[博后之家] 售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急 +3 tqUTOxClQUMF 2026-09-28 3/150 2026-09-29 15:04 by etmYJ6d2rquH
[硕博家园] 售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急 +3 GDBe8tDZqE8z 2026-09-28 3/150 2026-09-29 14:30 by etmYJ6d2rquH
[找工作] 售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急 +6 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 6/300 2026-09-29 14:13 by etmYJ6d2rquH
[博后之家] 售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急 +6 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 7/350 2026-09-29 14:07 by etmYJ6d2rquH
[公派出国] 售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急 +4 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 5/250 2026-09-29 13:50 by etmYJ6d2rquH
[教师之家] 某top大学教授说“能够在市场中兑现的能力才是真能力”无比同意！ +8 zju2000 2026-09-26 9/450 2026-09-29 13:47 by ahsoarli
[考研] 售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急 +3 tqUTOxClQUMF 2026-09-28 3/150 2026-09-29 09:59 by JzYBbHIXWSrW
[考研] 售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急 +3 ZYXdhzDAy9ZX 2026-09-28 3/150 2026-09-29 06:42 by ZvyPK8n6Nfki
[找工作] 售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急 +3 ZYXdhzDAy9ZX 2026-09-28 3/150 2026-09-29 06:28 by ZvyPK8n6Nfki
[考研] 售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急 +3 GDBe8tDZqE8z 2026-09-28 3/150 2026-09-28 23:12 by b8fCuTHqckEt
[公派出国] 售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急 +4 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 4/200 2026-09-28 22:55 by ez6fGg9abYaj
[有机交流] 同一个分子，一条来自文献，一条来自AI——不告诉你答案，你会选哪条？ +3 tianxiaoxian 2026-09-28 6/300 2026-09-28 22:44 by tianxiaoxian
[考博] 售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急 +3 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 6/300 2026-09-28 22:15 by ez6fGg9abYaj
[论文投稿] 售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急 +3 CfXuS1rDhLYN 2026-09-28 3/150 2026-09-28 19:08 by 9lS3ad5oOymn
[考研] 售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急 +3 IDs3scOF0tjC 2026-09-28 4/200 2026-09-28 18:51 by 9lS3ad5oOymn
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭