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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 光电池和光电化学 » DSC电池阻抗拟合
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Johenson

金虫 (著名写手)

[求助] DSC电池阻抗拟合

各位做DSCs电池或其它电池的大侠，小弟在做染料敏化太阳能电池(DSC)时测了整个电池在光照条件下的阻抗，想从阻抗图中用ZView的软件来拟合从而得到以下众多数据： electron transport resistance Rw in the TiO2 network,  interfacial charge recombination resistance Rk and the chemical capacitance Cμat the TiO2/electrolyte interface, the sheet resistance RS-ITO of the conducting substrate,  charge-transfer resistance RITO for electron recombination and the capacitance CITO at the uncovered ITO/electrolyte interface, the resistance RCO and the capacitance CCO at ITO/TiO2 contact， charge-transfer resistance Rct-Pt and the interfacial capacitance Cct-Pt at the Pt/electrolyte interface,  the impedance Zd of the diffusion of the redox species in the electrolyte.
电池的等效电路图如附件，不知道哪位大侠拟合过，跪请教我怎么拟合，用ZView拟合时用什么样的电路，或帮我拟合以下。站内联系。
跪谢！
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1楼 2012-09-25 19:37:11
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sadaharu

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
Johenson: 金币+25, ★★★很有帮助, 多谢多谢 2012-10-01 09:12:27
看了下你的待拟合电路，中间的原件数量需要确定下来。你看一下你有几个参数，以及阻抗大致有几个圆弧。根据圆弧数量定一下中间那几个重复的元件究竟需要重复几个：即Rw,Rk和Cu。DSSC从单一阻抗谱出发得到多参数是有一定的争议的，单纯比较个Rs，Rct1 Rct2和Cu还是可以的，但是其他更多的参数最好通过其他的电化学手段来加以辅助证明才可以。这样到时候投稿审稿人那边至少不会在这个方面卡你。

至于如何使用zview
下载这个文件就可以了，《一步一步教你用Zview拟合交流阻抗谱（入门篇）》http://wenku.baidu.com/view/18ad844433687e21af45a9e3.html
我当初学习用EIS拟合就是看的这个文件。非常直观。
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呼呼啦啦睡大觉混混哈哈没大脑
2楼2012-10-01 00:46:17
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Johenson

金虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by sadaharu at 2012-10-01 00:46:17
看了下你的待拟合电路，中间的原件数量需要确定下来。你看一下你有几个参数，以及阻抗大致有几个圆弧。根据圆弧数量定一下中间那几个重复的元件究竟需要重复几个：即Rw,Rk和Cu。DSSC从单一阻抗谱出发得到多参数是有 ...

谢谢您的回复，以前也用过简单的电路对DSC的阻抗进行过拟合，正如你提供的教程所示的方法。但感觉的出的Rs, Rct1, Rct2 C值不足以完全充分的解释我实验中的现象。所以想从EIS谱图中提取更多的参数来辅助说明我的结果。谢谢您的回复，奉上25BB，还望笑纳。
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3楼2012-10-01 09:12:06
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sadaharu

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
Johenson: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-10-01 15:37:00
那你现在遇到的是什么问题呢？
是电解质/光阳极界面出现了什么现象解释不清吗？
如果是动力学的问题的话，做瞬态可能更有说服力一些。
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4楼2012-10-01 13:10:00
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Johenson

金虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by sadaharu at 2012-10-01 13:10:00
那你现在遇到的是什么问题呢？
是电解质/光阳极界面出现了什么现象解释不清吗？
如果是动力学的问题的话，做瞬态可能更有说服力一些。

是纳晶薄膜内的电子传输加快了，电子在纳晶薄膜和导电基底处的收集速度加快了。所以我想从EIS谱图中的得到向我所给出的等效电路中的Rw和Rr值来表示纳晶薄膜内的电子传输加快，以及Rito表示在电子在纳晶薄膜和导电基底处的收集速度，想Bisquert教授所分析的采用传输线的方法来对EIS进行数据提取。
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5楼2012-10-01 15:36:46
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sadaharu

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
857688363: 金币+3, 感谢应助 2012-10-01 22:24:06
Johenson: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-10-02 09:40:54
膜内的电子传输试一下OCVD吧，开路电压衰减谱。利用这个谱可以算出随着电压衰减，电子寿命的变化。这是跟电子在膜内传输状况和以及膜厚有关的。
至于导电玻璃的电荷收集能力，我觉得直接测面积固定的TiO2和FTO间的方阻就可以了。
不过我感觉第二个不需要说明和测试。因为膜内电荷传输能力如果高的话，它与FTO的膜间电荷传输也肯定高。反之亦然。

Bisquert教授的传输线模型是没有问题，只是现在测试手段得到的阻抗谱的可重复性，拟合电路的选取是否真的是最终的电路实际情况这些是有争议的。甚至在测试过程中，电解质与多孔膜的界面的渗透过程都会影响到最终阻抗谱的表现，所以单纯从EIS得到多参数的可信度是有问题的。
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呼呼啦啦睡大觉混混哈哈没大脑
6楼2012-10-01 17:39:53
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Johenson

金虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by sadaharu at 2012-10-01 17:39:53
膜内的电子传输试一下OCVD吧，开路电压衰减谱。利用这个谱可以算出随着电压衰减，电子寿命的变化。这是跟电子在膜内传输状况和以及膜厚有关的。
至于导电玻璃的电荷收集能力，我觉得直接测面积固定的TiO2和FTO间的 ...

嗯，谢谢你的建议，薄膜的方阻以前测过的。我再测一下OCVD试试，从多方面进行论证我的结果。哈哈，中秋，国庆双节都在关注我的帖子帮我解答疑难，内牛满面啊，拜谢拜谢！
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7楼2012-10-02 09:40:42
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nanosnows

铜虫 (小有名气)
zview里边有Extended elements元件，画电路的时候插入dx1，dx1的模型选择11~13#。这几个模型就是根据bisquert文章而专门编写的。good luck.
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Johenson
8楼2012-10-02 09:57:54
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Johenson

金虫 (著名写手)
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8楼: Originally posted by nanosnows at 2012-10-02 09:57:54
zview里边有Extended elements元件，画电路的时候插入dx1，dx1的模型选择11~13#。这几个模型就是根据bisquert文章而专门编写的。good luck.

好的，谢谢！回头研究研究。
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9楼2012-10-02 10:54:31
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Johenson

金虫 (著名写手)
送鲜花一朵
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8楼: Originally posted by nanosnows at 2012-10-02 09:57:54
zview里边有Extended elements元件，画电路的时候插入dx1，dx1的模型选择11~13#。这几个模型就是根据bisquert文章而专门编写的。good luck.

好像没法送BB诶，送鲜花一朵吧
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10楼2012-10-02 11:03:14
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