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nanosnows

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
10楼: Originally posted by Johenson at 2012-10-02 11:03:14
好像没法送BB诶,送鲜花一朵吧...

。不好意思,弄错了一个地方,应该是distributed elements, 10~12#。很久没弄了,记错了。。。
11楼2012-10-02 14:39:58
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nanosnows

铜虫 (小有名气)

不过,跟楼上虫友们说的一样,EIS在电池比较好的时候,能出来那些特征的半圆;器件有问题的时候,图就比较乱了,不好拟合和分析。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

12楼2012-10-02 14:42:25
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Johenson

金虫 (著名写手)

送鲜花一朵
引用回帖:
12楼: Originally posted by nanosnows at 2012-10-02 14:42:25
不过,跟楼上虫友们说的一样,EIS在电池比较好的时候,能出来那些特征的半圆;器件有问题的时候,图就比较乱了,不好拟合和分析。

我的图还是比较规整的半圆的,就是组建拟合电路所采用的元件上不知道该怎么选择
13楼2012-10-02 16:49:02
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xiaxuefeng

新虫 (小有名气)

引用回帖:
7楼: Originally posted by Johenson at 2012-10-02 09:40:42
嗯,谢谢你的建议,薄膜的方阻以前测过的。我再测一下OCVD试试,从多方面进行论证我的结果。哈哈,中秋,国庆双节都在关注我的帖子帮我解答疑难,内牛满面啊,拜谢拜谢!...

您好,请问下 电化学工作站怎么测OCVD啊 小白刚接触,请大师指导! 谢谢
学之
14楼2018-05-08 16:27:30
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Johenson

金虫 (著名写手)

引用回帖:
14楼: Originally posted by xiaxuefeng at 2018-05-08 16:27:30
您好,请问下 电化学工作站怎么测OCVD啊 小白刚接触,请大师指导! 谢谢...

电化学工作站上就选开路电位-时间曲线。器件在光照下几秒记录起始开路电位,然后关掉光照开路电位就开始降低,所得的曲线就是OCVD的原始数据了
15楼2018-05-09 08:12:48
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