| 查看: 1169 | 回复: 5 | ||
[求助]
2个关于刻蚀的问题
|
|
1. ion bean etching的刻蚀方法，如果用Ar+刻蚀，那么Ar+是通过什么机理产生的呢？ 2. reactive ion etching的过程中，RF power是通过什么机理产生plasma的呢？ 谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有129人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 倾情分享——解读自己最近在Nanoscale发表的关于金纳米簇的Paper
已经有63人回复
- 等离子刻蚀后的废气
已经有3人回复
- 【求助】关于聚合物SEM的问题 求助高手！
已经有47人回复
- 【求助】SEBS刻蚀问题
已经有4人回复
- 【讨论】金属辅助刻蚀Si nanowire
已经有6人回复
- 【求助】关于湿法刻蚀
已经有17人回复
- 【求助】关于等离子体表面接枝的一些问题
已经有14人回复
Jackcd12
至尊木虫 (知名作家)
- MN-EPI: 1
- 应助: 2150 (讲师)
- 金币: 13189.5
- 红花: 366
- 帖子: 7676
- 在线: 2175.5小时
- 虫号: 1865159
- 注册: 2012-06-20
- 性别: GG
- 专业: 电化学
2楼2012-09-06 14:37:17
3楼2012-09-06 23:36:10
Jackcd12
至尊木虫 (知名作家)
- MN-EPI: 1
- 应助: 2150 (讲师)
- 金币: 13189.5
- 红花: 366
- 帖子: 7676
- 在线: 2175.5小时
- 虫号: 1865159
- 注册: 2012-06-20
- 性别: GG
- 专业: 电化学
4楼2012-09-07 09:09:23
白兆山
木虫 (正式写手)
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 3112.1
- 散金: 87
- 红花: 5
- 帖子: 814
- 在线: 1444.9小时
- 虫号: 237165
- 注册: 2006-04-03
- 性别: GG
- 专业: 金属材料表面科学与工程
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
super_zu: 金币+8, ★★★★★最佳答案 2012-09-07 12:38:43
感谢参与，应助指数 +1
super_zu: 金币+8, ★★★★★最佳答案 2012-09-07 12:38:43
|
1 Ar+是由电子束轰击，Ar内部电子脱离Ar而导致ionized而形成的。 2 在直流溅射系统中，如果使用绝缘体作为靶材，由于离子轰击会使绝缘体靶材表面带上正电荷，因此阻止了离子对靶材的持续轰击，无法产生二次电子因而造成辉光放电停止。解决这个问题的方式是在绝缘体靶材的背面施加射频电位，附加一个偶合电容器，由于电子比离子的迁移率要高得多，当靶处在负电位的半周期时，少量的离子到达靶的表面，而当靶（阴极）处在正电位的半周期时，更多的电子到达靶的表面。由于电荷不能通过电容器，所以靶表面很容易形成浮动电位，对金属靶材来讲，同样也是如此。这样，相对于等离子体来说，靶表面形成了负的自偏压。由于在射频溅射系统中的另一电极（基片）必须确保接地，因此在射频放电时，溅射系统中的两个电极相对于等离子体是负电位，所以电子基本上在电极之间来回反射而不会达到阳极，因而电子在射频电压产生的交变电场中做振荡运动，并且在电场中获得足够的能量与气体分子产生电离碰撞，保证辉光放电的自维持过程。负电压使得靶材表面上形成富等离子体鞘。射频频率低于10千赫，将无法形成这个等离子鞘，一般工业用射频溅射的频率是13.56兆赫。 |
5楼2012-09-07 12:36:27
|
本帖内容被屏蔽 |
6楼2012-09-12 20:32:43
投票:
10