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2个关于刻蚀的问题
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1. ion bean etching的刻蚀方法，如果用Ar+刻蚀，那么Ar+是通过什么机理产生的呢？ 2. reactive ion etching的过程中，RF power是通过什么机理产生plasma的呢？ 谢谢 |
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【答案】应助回帖
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1 Ar+是由电子束轰击，Ar内部电子脱离Ar而导致ionized而形成的。 2 在直流溅射系统中，如果使用绝缘体作为靶材，由于离子轰击会使绝缘体靶材表面带上正电荷，因此阻止了离子对靶材的持续轰击，无法产生二次电子因而造成辉光放电停止。解决这个问题的方式是在绝缘体靶材的背面施加射频电位，附加一个偶合电容器，由于电子比离子的迁移率要高得多，当靶处在负电位的半周期时，少量的离子到达靶的表面，而当靶（阴极）处在正电位的半周期时，更多的电子到达靶的表面。由于电荷不能通过电容器，所以靶表面很容易形成浮动电位，对金属靶材来讲，同样也是如此。这样，相对于等离子体来说，靶表面形成了负的自偏压。由于在射频溅射系统中的另一电极（基片）必须确保接地，因此在射频放电时，溅射系统中的两个电极相对于等离子体是负电位，所以电子基本上在电极之间来回反射而不会达到阳极，因而电子在射频电压产生的交变电场中做振荡运动，并且在电场中获得足够的能量与气体分子产生电离碰撞，保证辉光放电的自维持过程。负电压使得靶材表面上形成富等离子体鞘。射频频率低于10千赫，将无法形成这个等离子鞘，一般工业用射频溅射的频率是13.56兆赫。 |
5楼2012-09-07 12:36:27
