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sunnykm银虫 (正式写手)
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请教一个EIS问题
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本人做了一种材料，在铁氰化钾的体系中测EIS，发现未处理之前频率-相位角图中只有一个峰，处理之后，出现两个峰，且位置有移动。如图所示（峰这个表述很欠专业，但实在不知道该如何表达，大家见谅） 高频区对应着Rct，中频区是Warburg阻抗吧，反应出材料的多孔结构？不知道我说的对不对，那峰位置的移动能反应多孔结构的变化么？ 求解，谢谢各位  EIS1.PNG  EIS.PNG [ Last edited by sunnykm on 2012-8-29 at 16:14 ] |
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 电化学测试 | 测试等 |
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9楼2012-08-31 12:12:24
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【答案】应助回帖
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你还可以用Nyquist图（Z'-Z'')表示你的处理前后的数据，及阻抗谱图。 高频端容抗弧反映的是氧化还原组分在电极表面发生氧化还原反应的难易程度，圆弧（在Nyquist 图上更容易看）越大，表面电子转移越难，该过程为控制步骤。 至于你的多孔的问题，那要具体分析。 一般而言，反应物到达电极表面交换电子的过程包括：扩散+电子交换过程。当电极表面被绝缘性物质覆盖的程度越大，电极表面的电子交换过程很难发生，Rct很多，它与电极修饰物的微观结构（包括微孔等）有正相关性，但定量分析的话，那还比较复杂。 |
2楼2012-08-29 18:05:31
sunnykm
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