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lsle01

铁虫 (小有名气)

[交流] CIGS太阳能电池中,为什么缓冲层是高阻的? 已有3人参与

硫系太阳能电池中,一直不理解为什么缓冲层要高阻,求高手解答
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nanotricks

新虫 (正式写手)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
天也潇潇: 金币+1, 鼓励新虫交流 2012-08-28 20:02:42
理论上应该是低阻的好,但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多,容易短路或者降低Voc和FF,所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会,减少shunt通道。
3楼2012-08-28 18:54:54
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Archie

铜虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
电子/空穴 迁移率匹配问题。
2楼2012-08-28 15:45:03
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lsle01

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-28 18:54:54
理论上应该是低阻的好,但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多,容易短路或者降低Voc和FF,所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会,减少shunt通道。

谢谢,你的解释跟我查的一篇文献差不多,高阻是为了减小膜层的不均匀对输出的损失
发论文!!!
4楼2012-08-29 09:15:56
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lsle01

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-28 18:54:54
理论上应该是低阻的好,但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多,容易短路或者降低Voc和FF,所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会,减少shunt通道。

还有一个问题,shunt通道多,所以需要高阻,那么让吸收层成为高阻行不行?
发论文!!!
5楼2012-08-29 09:24:16
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