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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 能源 » 新能源 » CIGS太阳能电池中，为什么缓冲层是高阻的？
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lsle01

铁虫 (小有名气)

[交流] CIGS太阳能电池中，为什么缓冲层是高阻的？已有3人参与

硫系太阳能电池中，一直不理解为什么缓冲层要高阻，求高手解答
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发论文！！！
1楼2012-08-28 10:06:53
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lsle01

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-28 18:54:54
理论上应该是低阻的好，但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多，容易短路或者降低Voc和FF，所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会，减少shunt通道。

谢谢，你的解释跟我查的一篇文献差不多，高阻是为了减小膜层的不均匀对输出的损失
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发论文！！！
4楼2012-08-29 09:15:56
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lsle01

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-28 18:54:54
理论上应该是低阻的好，但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多，容易短路或者降低Voc和FF，所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会，减少shunt通道。

还有一个问题，shunt通道多，所以需要高阻，那么让吸收层成为高阻行不行？
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发论文！！！
5楼2012-08-29 09:24:16
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lsle01

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-30 13:19:43
吸收层一般都比较厚，过高的电阻率会加大电池的串联电阻，另外，吸光层需要一个合适的载流子浓度，电阻率过高，P的净载流子浓度就不会高。
CIGS容易Se缺失，形成N掺杂，所以需要加入Na等p掺杂，提高p的浓度，从而 ...

谢谢！
你对硫系电池的理解很深刻啊！
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发论文！！！
7楼2012-08-31 10:33:13
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