[交流] CIGS太阳能电池中，为什么缓冲层是高阻的？已有3人参与

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1楼2012-08-28 10:06:53

Archie

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电子/空穴迁移率匹配问题。

2楼2012-08-28 15:45:03

nanotricks

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天也潇潇: 金币+1, 鼓励新虫交流 2012-08-28 20:02:42

理论上应该是低阻的好，但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多，容易短路或者降低Voc和FF，所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会，减少shunt通道。

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3楼2012-08-28 18:54:54

lsle01

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3楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-28 18:54:54
理论上应该是低阻的好，但是薄膜电池最大的问题是shunt通道多，容易短路或者降低Voc和FF，所以高阻的缓冲层可以避免上面的ITO和底部的Mo接触机会，减少shunt通道。

谢谢，你的解释跟我查的一篇文献差不多，高阻是为了减小膜层的不均匀对输出的损失

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4楼2012-08-29 09:15:56

lsle01

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还有一个问题，shunt通道多，所以需要高阻，那么让吸收层成为高阻行不行？

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5楼2012-08-29 09:24:16

nanotricks

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5楼: Originally posted by lsle01 at 2012-08-29 09:24:16
还有一个问题，shunt通道多，所以需要高阻，那么让吸收层成为高阻行不行？...

吸收层一般都比较厚，过高的电阻率会加大电池的串联电阻，另外，吸光层需要一个合适的载流子浓度，电阻率过高，P的净载流子浓度就不会高。
CIGS容易Se缺失，形成N掺杂，所以需要加入Na等p掺杂，提高p的浓度，从而提高开路电压。

6楼2012-08-30 13:19:43

lsle01

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6楼: Originally posted by nanotricks at 2012-08-30 13:19:43
吸收层一般都比较厚，过高的电阻率会加大电池的串联电阻，另外，吸光层需要一个合适的载流子浓度，电阻率过高，P的净载流子浓度就不会高。
CIGS容易Se缺失，形成N掺杂，所以需要加入Na等p掺杂，提高p的浓度，从而 ...

谢谢！
你对硫系电池的理解很深刻啊！

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7楼2012-08-31 10:33:13