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dwysd

木虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-26 16:09:36
我主要也是要求它的介电性能,化学计量比偏离1/2也没关系。你是用反应溅射法制备的SiO2薄膜,我们这边有Si靶,也有SiO2靶,不过我想直接用SiO2靶做,之前试过,如上面所述,辉光放电正常,就是没有膜。注: 我是用 ...

我觉得可能SiO2的溅射速率较低,导致沉积速率慢。一般SiO2都可以作为放电腔的器壁了,应该是性质很稳定的,难以溅射。Si靶的溅射速率较快,相比较容易沉积。我是这样认为的。
11楼2012-12-27 17:15:36
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
11楼: Originally posted by dwysd at 2012-12-27 17:15:36
我觉得可能SiO2的溅射速率较低,导致沉积速率慢。一般SiO2都可以作为放电腔的器壁了,应该是性质很稳定的,难以溅射。Si靶的溅射速率较快,相比较容易沉积。我是这样认为的。...

可能吧  文献上要有一定厚度的SiO2基本上都用PECVD法做的
欢迎MO-TFT的虫友一起交流
12楼2012-12-27 17:52:26
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businiao_123

铁虫 (初入文坛)

用SiO2靶材(用做绝缘层) 射频溅射时候需要在通入Ar的同时通入O2, O2的通入量如何确定呢??

如果不通入氧气,沉积的二氧化硅层氧含量偏低的话对绝缘性能有多大的影响啊??

有什么溅射时候不用其他反应气体的绝缘靶材呢??

求教。。。  谢谢了。。
13楼2012-12-31 09:48:34
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