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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 如何在硅片上长300nm的Si02层
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dwysd

木虫 (著名写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-26 16:09:36
我主要也是要求它的介电性能，化学计量比偏离1/2也没关系。你是用反应溅射法制备的SiO2薄膜，我们这边有Si靶，也有SiO2靶，不过我想直接用SiO2靶做，之前试过，如上面所述，辉光放电正常，就是没有膜。注： 我是用 ...

我觉得可能SiO2的溅射速率较低，导致沉积速率慢。一般SiO2都可以作为放电腔的器壁了，应该是性质很稳定的，难以溅射。Si靶的溅射速率较快，相比较容易沉积。我是这样认为的。
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11楼2012-12-27 17:15:36
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xpengpengx

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by dwysd at 2012-12-27 17:15:36
我觉得可能SiO2的溅射速率较低，导致沉积速率慢。一般SiO2都可以作为放电腔的器壁了，应该是性质很稳定的，难以溅射。Si靶的溅射速率较快，相比较容易沉积。我是这样认为的。...

可能吧  文献上要有一定厚度的SiO2基本上都用PECVD法做的
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欢迎MO-TFT的虫友一起交流
12楼2012-12-27 17:52:26
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businiao_123

铁虫 (初入文坛)
用SiO2靶材（用做绝缘层） 射频溅射时候需要在通入Ar的同时通入O2， O2的通入量如何确定呢？？

如果不通入氧气，沉积的二氧化硅层氧含量偏低的话对绝缘性能有多大的影响啊？？

有什么溅射时候不用其他反应气体的绝缘靶材呢？？

求教。。。  谢谢了。。
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13楼2012-12-31 09:48:34
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