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shucaijing

铜虫 (正式写手)

[求助] 如何在硅片上长300nm的Si02层

如何在硅片上长300nm的Si02层?我们组有真空镀膜机 但需要很高的温度 且时间长 我用其他的什么方法可以得到那?
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Comeon,Baby!!!
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dwysd

木虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by xpengpengx at 2012-12-26 16:09:36
我主要也是要求它的介电性能,化学计量比偏离1/2也没关系。你是用反应溅射法制备的SiO2薄膜,我们这边有Si靶,也有SiO2靶,不过我想直接用SiO2靶做,之前试过,如上面所述,辉光放电正常,就是没有膜。注: 我是用 ...

我觉得可能SiO2的溅射速率较低,导致沉积速率慢。一般SiO2都可以作为放电腔的器壁了,应该是性质很稳定的,难以溅射。Si靶的溅射速率较快,相比较容易沉积。我是这样认为的。
11楼2012-12-27 17:15:36
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dwysd

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-08-25 08:43:58
shucaijing: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的建议 2012-08-29 09:07:48
一般而言,如果用单质Si作为溅射靶材,Ar/O2作为溅射气体/反应气体,用一般的磁控溅射方法就可以制备SiO2薄膜,沉积速率视靶材大小和溅射功率的大小而定,但只制备300nm厚的SiO2薄膜,不会要太长时间。我曾经用该方法制备过微米级的SiO2薄膜,也就是几个小时而已。
2楼2012-08-24 19:56:13
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shucaijing: 金币+1, 有帮助, 谢谢你的建议 2012-08-29 09:08:22
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-02 09:07:00
你的真空镀膜机指的是溅射吗?除了热氧化,长SiO2最常用的还是射频反应溅射和PECVD,这两种温度都不高
3楼2012-08-25 17:14:08
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dzcl11

铜虫 (小有名气)


【答案】应助回帖


蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-09-02 09:07:14
硅片上生长二氧化硅一般有两种方法:PECVD和热氧化法
4楼2012-09-01 14:37:08
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