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夜铱

银虫 (初入文坛)

[求助] 低能表面的旋涂工艺

请问如何在低能表面进行有机溶剂的spin-coating。
对于这个材料,我试过了很多的有机溶剂,苯,甲苯,PEMEA都不能润湿材料表面。
异丙醇和乙醇(因为表面张力很低)倒是可以很好的润湿,可是却不能很好的溶解要旋涂成膜的聚合物。
大家有什么想法吗?一般是用什么溶剂呢?混合溶剂或者是添加表面剂?
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夜铱

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by x33526 at 2012-08-20 21:26:47
供参考
在超声波中清晰,洗涤液:1.氢氟酸(去除表面氧化物);2丙酮()去除表面油脂;3无水乙醇(除去残余的氢氟酸和丙酮);4去离子水(除去乙醇)
如果没什么要求就用乙醇超声清洗就行了,如果需要亲水处理, ...

非常感谢,只是表面亲水化处理会给材料基体带来损伤,所以并不是首选方案。
3楼2012-08-24 19:53:13
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x33526

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
xulili: 金币+1, 感谢热心应助 2012-08-20 21:53:46
供参考
在超声波中清晰,洗涤液:1.氢氟酸(去除表面氧化物);2丙酮()去除表面油脂;3无水乙醇(除去残余的氢氟酸和丙酮);4去离子水(除去乙醇)
如果没什么要求就用乙醇超声清洗就行了,如果需要亲水处理,可以用硫酸/过氧化氢,或者氨水/过氧化氢处理
RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。
(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
(4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化
我们都是用浓硫酸双氧水7:3沸水浴30分钟
H2O2/H2SO4(3:7)超声20分钟,超纯水洗,N2吹干
H2O2/H2SO4=3:7在90摄氏度煮一小时,冷却后用水超声清洗三遍,氮气吹干就可以,处理后的表面是羟基化的表面
http://muchong.com/html/200909/1547807.html

http://www.jlstnet.net/hzkj_show ... 8F&newsId=12129
好好来
2楼2012-08-20 21:26:47
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诺伊田园

荣誉版主 (职业作家)

我的世界,青春永驻。

【答案】应助回帖

对预旋涂表面进行电晕处理
苟日新,日日新,又日新。
4楼2012-08-25 08:40:48
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夜铱

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by ph19870918 at 2012-08-25 09:25:17

6楼2012-08-29 22:41:36
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