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低能表面的旋涂工艺
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请问如何在低能表面进行有机溶剂的spin-coating。 对于这个材料，我试过了很多的有机溶剂，苯，甲苯，PEMEA都不能润湿材料表面。 异丙醇和乙醇（因为表面张力很低）倒是可以很好的润湿，可是却不能很好的溶解要旋涂成膜的聚合物。 大家有什么想法吗？一般是用什么溶剂呢？混合溶剂或者是添加表面剂？ |
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 更好的涂膜方法 |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
xulili: 金币+1, 感谢热心应助 2012-08-20 21:53:46
感谢参与，应助指数 +1
xulili: 金币+1, 感谢热心应助 2012-08-20 21:53:46
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供参考 在超声波中清晰，洗涤液：1.氢氟酸（去除表面氧化物）；2丙酮（）去除表面油脂；3无水乙醇（除去残余的氢氟酸和丙酮）；4去离子水（除去乙醇） 如果没什么要求就用乙醇超声清洗就行了，如果需要亲水处理，可以用硫酸/过氧化氢，或者氨水/过氧化氢处理 RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化 我们都是用浓硫酸双氧水７：３沸水浴３０分钟 H2O2/H2SO4(3:7)超声20分钟，超纯水洗，N2吹干 H2O2/H2SO4=3:7在90摄氏度煮一小时，冷却后用水超声清洗三遍，氮气吹干就可以，处理后的表面是羟基化的表面 http://muchong.com/html/200909/1547807.html http://www.jlstnet.net/hzkj_show ... 8F&newsId=12129 |
2楼2012-08-20 21:26:47
3楼2012-08-24 19:53:13
诺伊田园
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