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麻省理工在晶硅电池上研究新成果-1207 已有6人参与
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谢谢蒋青松的帮助，下载该paper并上传，大家看完后可以再交流下！ 非常感谢！ ======================== 美国工程院院士、麻省理工学院机械工程系教授陈刚的研究小组2012年6月的《纳米快报》（Nano Letters）杂志发表文章表示：他们采用干涉光刻（interference lithography）以及湿法刻蚀技术在薄硅片上形成“倒金字塔”的陷光结构，可以使C-Si电池的厚度在5-30μm。理论计算和测试数据表明，该电池的光电性能参数可与300μm传统技术的电池性能比拟。 该文在最后对“倒金字塔”结构的制作进行了说明，但是没有对如何获得如此之薄的C-Si进行描述。 以下几个问题作讨论： 1. 晶硅电池表面织构的方式有哪些？各自的优劣表现如何？ 2. 获得“倒金字塔”的工艺方式有哪些？ 3.如何获得厚度仅为5-30μm的硅片？如此薄的硅片在工业生产中的可操作性？ 其他问题，大家各诉己见，一并讨论吧！  [ Last edited by floljf on 2012-8-4 at 09:54 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : nl2045777.pdf
2012-07-25 07:51:23, 299.51 K
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