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floljf

金虫 (正式写手)

[交流] 麻省理工在晶硅电池上研究新成果-1207 已有6人参与

谢谢蒋青松的帮助,下载该paper并上传,大家看完后可以再交流下!
非常感谢!
========================

美国工程院院士、麻省理工学院机械工程系教授陈刚的研究小组2012年6月的《纳米快报》(Nano Letters)杂志发表文章表示:他们采用干涉光刻(interference lithography)以及湿法刻蚀技术在薄硅片上形成“倒金字塔”的陷光结构,可以使C-Si电池的厚度在5-30μm。理论计算和测试数据表明,该电池的光电性能参数可与300μm传统技术的电池性能比拟。

该文在最后对“倒金字塔”结构的制作进行了说明,但是没有对如何获得如此之薄的C-Si进行描述。

以下几个问题作讨论:
1. 晶硅电池表面织构的方式有哪些?各自的优劣表现如何?
2. 获得“倒金字塔”的工艺方式有哪些?
3.如何获得厚度仅为5-30μm的硅片?如此薄的硅片在工业生产中的可操作性?

其他问题,大家各诉己见,一并讨论吧!




[ Last edited by floljf on 2012-8-4 at 09:54 ]
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by floljf at 2012-07-24 08:56:27
看过这篇paper的虫子讨论下,这个所谓的“倒金字塔”结构与目前传统使用的制绒后的结构有什么区别?

金字塔结构:上突
倒金字塔:下凹
从“每个倒金字塔型压槽的直径不超过1微米。”判断出来的
从描述来看成本应该会增加,减轻自重也是没意义的(组件总电池片的重量基本可以忽略了)
4楼2012-07-24 12:43:26
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查看全部 15 个回答

floljf

金虫 (正式写手)

哪位朋友帮查到这篇文献共享一下!
2楼2012-07-24 08:55:29
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floljf

金虫 (正式写手)

看过这篇paper的虫子讨论下,这个所谓的“倒金字塔”结构与目前传统使用的制绒后的结构有什么区别?
3楼2012-07-24 08:56:27
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floljf

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-07-24 12:43:26
金字塔结构:上突
倒金字塔:下凹
从“每个倒金字塔型压槽的直径不超过1微米。”判断出来的
从描述来看成本应该会增加,减轻自重也是没意义的(组件总电池片的重量基本可以忽略了)...

呵呵呵。。。不是减轻自重的问题吧?是减少硅材料的用量。只是我很纳闷的是如何实现?以及如何减少硅片的厚度?毕竟仅有原来的十分之一到三十分之一!
5楼2012-07-24 14:56:09
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