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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 表征 » SiO2表面硅羟基问题
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wang22889

木虫 (小有名气)

[求助] SiO2表面硅羟基问题

stober法合成的SiO2微球，700℃下焙烧2h处理后，表面的硅羟基数量大概会减少多啊？有没有人做个这方面的考察，因为SiO2本身亲水，用红外的话，估计很难做出Si-OH峰来吧？
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1楼2012-07-23 21:46:49
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阳光西骑士

木虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by shine6832 at 2012-07-25 08:56:32
检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右，建议使用DRIFTS，960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁，检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后，表面仍然存在部分硅羟基，但肯定低 ...

您好 请帮忙分析下 谢谢 如何恢复硅羟基的峰
SiO2表面硅羟基问题
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15楼2015-12-07 22:57:55
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