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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wang22889

木虫 (小有名气)

[求助] SiO2表面硅羟基问题

stober法合成的SiO2微球,700℃下焙烧2h处理后,表面的硅羟基数量大概会减少多啊?有没有人做个这方面的考察,因为SiO2本身亲水,用红外的话,估计很难做出Si-OH峰来吧?
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shine6832

至尊木虫 (正式写手)

Dr. XU

检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低于500度处理的样品的硅羟基数量;如果想使其恢复的话,建议使用水蒸气处理
不沉溺幻想,不庸人自扰
8楼2012-07-25 08:56:32
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普通回帖

boshi806

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
wang22889: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢。之前有人告诉我说,这种微球的比表面积很小,在红外上根本看不到所谓的Si-OH峰出现,不知道是不是真的。 2012-07-24 11:48:28
红外可以做出Si-OH键的峰,有文献可查的!
2楼2012-07-23 21:50:30
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miaocuilan

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
wang22889: 金币+10, ★★★很有帮助, 感谢 2012-07-24 09:22:22
硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。
催化路漫漫
3楼2012-07-24 09:21:26
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wang22889

木虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by miaocuilan at 2012-07-24 09:21:26
硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。

问题是这样的,我这个材料需要焙烧,如果不用焙烧的话,强度达不到,温度就在700,500℃的话强度就不行了。那如果焙烧后,有什么方法可以让羟基回来一些,但是又不影响强度?水热处理可以吗?
4楼2012-07-24 09:24:10
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miaocuilan

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
wang22889: 金币+5, ★★★很有帮助, 具体的需呀多少羟基倒是没有数据,就是希望700℃下羟基不要掉太多,不然怕后面的表面修饰就没法做了,而手头又没有羟基和焙烧温度的一个关系。 2012-07-24 11:47:19
700度焙烧后还是有羟基存在的,只是没有500度焙烧的羟基多,水热处理可以恢复部分羟基。你需要很多硅羟基吗?700度焙烧不能烧掉所有羟基的。
催化路漫漫
5楼2012-07-24 09:33:42
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loneselfcn

银虫 (初入文坛)

测试热重.控制升温速度

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

sunshine
6楼2012-07-24 12:29:23
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wang22889

木虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
6楼: Originally posted by loneselfcn at 2012-07-24 12:29:23
测试热重.控制升温速度

热重当然也是一种方法,只是我没有做过。热重损失掉的重量就是羟基的量吗,有没有可能是SiO2本身吸水,热重的时候也会有表面。那热重的时候肯定就需要预处理对吧?
7楼2012-07-24 14:40:26
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greatfoxer

木虫 (职业作家)

建议测试 29Si固体核磁,检测Q3强度

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

知行合一
9楼2012-07-25 09:39:52
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wang22889

木虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by shine6832 at 2012-07-25 08:56:32
检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低 ...

很好的建议,非常感谢。
10楼2012-07-25 14:37:24
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