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SiO2表面硅羟基问题
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wang22889
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]
SiO2表面硅羟基问题
stober法合成的SiO2微球,700℃下焙烧2h处理后,表面的硅羟基数量大概会减少多啊?有没有人做个这方面的考察,因为SiO2本身亲水,用红外的话,估计很难做出Si-OH峰来吧?
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1楼
2012-07-23 21:46:49
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shine6832
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检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面仍然存在部分硅羟基,但肯定低于500度处理的样品的硅羟基数量;如果想使其恢复的话,建议使用水蒸气处理
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不沉溺幻想,不庸人自扰
8楼
2012-07-25 08:56:32
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boshi806
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专业: 无机纳米化学
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很有帮助, 非常感谢。之前有人告诉我说,这种微球的比表面积很小,在红外上根本看不到所谓的Si-OH峰出现,不知道是不是真的。
2012-07-24 11:48:28
红外可以做出Si-OH键的峰,有文献可查的!
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2楼
2012-07-23 21:50:30
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miaocuilan
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wang22889: 金币+10,
★★★
很有帮助, 感谢
2012-07-24 09:22:22
硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。
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催化路漫漫
3楼
2012-07-24 09:21:26
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wang22889
木虫
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3楼
:
Originally posted by
miaocuilan
at 2012-07-24 09:21:26
硅羟基用红外是可以做出来的,但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验,700度下焙烧羟基会烧掉不少。
问题是这样的,我这个材料需要焙烧,如果不用焙烧的话,强度达不到,温度就在700,500℃的话强度就不行了。那如果焙烧后,有什么方法可以让羟基回来一些,但是又不影响强度?水热处理可以吗?
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4楼
2012-07-24 09:24:10
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