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jlu_w木虫 (正式写手)
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[求助]
有关肖特基势垒 自建电势
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做一个假设，Al和n-Si接触的情况：Al功函数4.25eV，16次幂掺杂的n-Si的功函数一般也为4.25eV（n-Si电子亲和势4.05eV），所以不考虑表面态二者因为功函数相等（费米能级齐平）而不发生电子转移。但是肖特基势垒的计算公式可以为：Al的功函数减去n-Si的电子亲和势，即4.25-4.05=0.2eV。这么看来，Al和是n-Si之间是存在肖特基势垒的，只不过这0.2eV的势垒，正好也等于n-Si费米能级到其导带底的距离，不会产生整流效果。 请大家指正小弟的分析！ [ Last edited by jlu_w on 2012-7-20 at 10:37 ] |
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2楼2012-08-23 11:41:12