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jlu_w

木虫 (正式写手)

应助: 5 (幼儿园)
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专业: 半导体光电子器件

[求助] 有关肖特基势垒自建电势

做一个假设，Al和n-Si接触的情况：Al功函数4.25eV，16次幂掺杂的n-Si的功函数一般也为4.25eV（n-Si电子亲和势4.05eV），所以不考虑表面态二者因为功函数相等（费米能级齐平）而不发生电子转移。但是肖特基势垒的计算公式可以为：Al的功函数减去n-Si的电子亲和势，即4.25-4.05=0.2eV。这么看来，Al和是n-Si之间是存在肖特基势垒的，只不过这0.2eV的势垒，正好也等于n-Si费米能级到其导带底的距离，不会产生整流效果。请大家指正小弟的分析！

[ Last edited by jlu_w on 2012-7-20 at 10:37 ]

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天道酬勤！

1楼 2012-07-19 02:58:04

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sseabird

铁虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
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帖子: 3
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虫号: 82750
注册: 2005-07-26
专业: 半导体光电子器件

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-08-23 12:12:34
jlu_w: 金币+5, ★★★很有帮助 2012-09-06 01:50:50

整流与否看费米能极差，不是看带边差。
费米能级在同一位置，则没有能带弯曲，本质上电子移动没有势垒，就没有整流特性。

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