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jlu_w木虫 (正式写手)
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[求助]
有关肖特基势垒 自建电势
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做一个假设,Al和n-Si接触的情况:Al功函数4.25eV,16次幂掺杂的n-Si的功函数一般也为4.25eV(n-Si电子亲和势4.05eV),所以不考虑表面态二者因为功函数相等(费米能级齐平)而不发生电子转移。但是肖特基势垒的计算公式可以为:Al的功函数减去n-Si的电子亲和势,即4.25-4.05=0.2eV。这么看来,Al和是n-Si之间是存在肖特基势垒的,只不过这0.2eV的势垒,正好也等于n-Si费米能级到其导带底的距离,不会产生整流效果。 请大家指正小弟的分析! [ Last edited by jlu_w on 2012-7-20 at 10:37 ] |
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2楼2012-08-23 11:41:12














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