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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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zsxmc

铜虫 (初入文坛)

[求助] 审稿意见中有reviewer2提出让我看一篇很早的文献对比一下什么意思

今天在坛子里搜了半天,看到很多人说有审稿人为了提高自己的文章引用次数,会利用职务之便委婉给投稿人提出来看弄些文献。大家帮我看看我这个是不是也是这个意思,但是我总觉他提出来的那篇文献数据真实性非常值得怀疑,怕贸然引用让编辑知道了影响对我的数据的真实性的看法。不知道如何处理中。。。。。
“The XRD-data show that the crystal quality is still inferior compared to HVPE layers grown on sapphire, but other groups report on a higher FWHM value.
for comparison:
第一作者 et al., 文献期刊, 卷等等
report on HVPE GaN layers on Si using an AlN interlayer. XRD FWHM is 2.8 degrees.

另外:第一个审稿人给出的建议很具体,要求大修,逐条列出,第二审稿人就是先说文章哪里好,哪里不好,然后说了一通,让我很难把握回复点。
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zsxmc

铜虫 (初入文坛)

实在是新虫子,金币数额有限,望资深虫子不吝赐教。
2楼2012-07-05 20:33:15
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wellyy2005

至尊木虫 (文坛精英)

s

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
avast2009: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-06 09:27:06
zsxmc: 金币+7, ★★★很有帮助, 金币只有14个,谢谢你们两个的回复 2012-07-06 20:58:51
zsxmc: 金币+7, ★★★很有帮助, 再次感谢 2012-07-09 20:10:14
1、这个不是引用文献这么简单,是要你分析你们做的跟那些 other groups report on a higher FWHM value.比较,分析原因;
2、要逐一回答,主要是针对建议和不足。
3楼2012-07-05 20:38:19
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zsxmc

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by wellyy2005 at 2012-07-05 20:38:19
1、这个不是引用文献这么简单,是要你分析你们做的跟那些 other groups report on a higher FWHM value.比较,分析原因;
2、要逐一回答,主要是针对建议和不足。

嗯,谢谢你的建议,他给出的文献薄膜厚度比我的厚很多,但是质量非常差。我会说明白我们着重点是提高薄膜的质量,不在于厚度上的增加。是不是到时候这篇文献就一定要引用了?确实是此篇文献的数据真实性值得考虑。。。。
4楼2012-07-06 08:51:27
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xli1984

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by wellyy2005 at 2012-07-05 20:38:19
1、这个不是引用文献这么简单,是要你分析你们做的跟那些 other groups report on a higher FWHM value.比较,分析原因;
2、要逐一回答,主要是针对建议和不足。

完全同意。不仅要把那篇文章引用进来,最好还要讨论一下其中的“report on HVPE GaN layers on Si using an AlN interlayer. XRD FWHM is 2.8 degrees”。
当然你也可以质疑这个数据的真实性,但即使这样你也要在你的文章里说明你的想法和观点。譬如,你可以委婉地说“某些文献(在此引用那篇文章)报道了不同的现象/数据,关于这一问题值得后续研究”之类的。切记不可只字不提。
5楼2012-07-06 09:00:24
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zsxmc

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by xli1984 at 2012-07-06 09:00:24
完全同意。不仅要把那篇文章引用进来,最好还要讨论一下其中的“report on HVPE GaN layers on Si using an AlN interlayer. XRD FWHM is 2.8 degrees”。
当然你也可以质疑这个数据的真实性,但即使这样你也要在 ...

谢谢,初次投稿,真是需要多听前辈们说说。还想请教你一个问题,如果某个问题非常难回答,你通常会采取什么回答方式呀?还有就是一个,由于我的SEM截面图,在切样品时出现了点瑕疵,审稿人认为是一个实验上样品形成的一种void现象。我不敢说审稿人看错了。。。。。真不知道如何处理。。。。
6楼2012-07-06 10:21:37
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zsxmc

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by xli1984 at 2012-07-06 09:00:24
完全同意。不仅要把那篇文章引用进来,最好还要讨论一下其中的“report on HVPE GaN layers on Si using an AlN interlayer. XRD FWHM is 2.8 degrees”。
当然你也可以质疑这个数据的真实性,但即使这样你也要在 ...

给你评分,说不是应助回复贴,不可评分,不过真的非常谢谢你
7楼2012-07-06 21:00:23
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