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关于vasp加电场的问题
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Sample Text 这几天一直纠结于加电场的问题，在我的体系中，真空层设置的是13A. 我先在没加电场的情况下的进行relax, 获得最稳定的结构后，在此基础上加入上面输入的三个电场的参数设置EFIELD=0.4, LDIPOL=.T>, IDIPOL=3(z轴方向）在进行relax，纠结的是relax后，一个离子步就结束了，与没加电场的情况一模一样。 我现在的问题是，我带着加电场后relax这种做法对不对？ 是否是加电场的主要是波函数的变化，离子位置基本不会因为电场而变化？如果这样就没必要在结构优化周加入电场的参数，如果仅仅只考虑电场对波函数的修正，又该如何操作？ 请各位高手解答，不甚感激  |
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 DFT加电场 | vasp电场 |
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