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leisy

银虫 (初入文坛)

[求助] vasp结构优化中EDIFF以及KPOINTS设置,以及氢吸附结合能问题!

仁兄义姐好:我想问下:
1   在vasp计算中,INCAR中的EDIFF是精度越高会带来越多计算步骤从而花费更多的计算时间,还是说精度越高,却会使每个离子步优化的更精确,从而减少了离子优化的总步数,会是时间减少?这个究竟是怎么回事?
还有K点设置时,是K点越大越耗费资源,计算时间长;还是K点越大而导致收敛的比较顺利而使计算时间变少?这个究竟哪个是主要的,到底对不同的计算结构该怎样分析使用K点。
2 在计算石墨烯以及硅纳米线表面氢吸附结合能的时候,应该怎样计算?
比如说是直接(不优化)在结构上自动加氢,然后再算总能,使结合后的能量减去前两者,但整个过程前后所有结构全都没有优化。还是另外一种情况:就是先把没有加氢的原结构先优化并算出优化后的能量,然后把氢原子加到已优化好的结构上并计算出总能。最后用这个已优化的总能减去前面原结构(已优化)的能量以及氢原子的能量?请问这两种情况哪种对,若都不对,有其他方式吗?
麻烦给出的答案越详细越好,小弟在此谢过!
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leisy

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
11楼: Originally posted by mousekingadv at 2012-06-19 17:59:19
For IBRION=1,2 or 3, POTIM serves as a scaling constant for the forces.也就是下一离子步时离子的位置是这一步的位置+search vector*POTIM。所以当初始结构较坏时离子每步可以大一些(即较大的POTIM)。只要最 ...

好的,谢谢。
我在优化的时候好像两次隔开的优化,后一次不能利用前一次已生成的WAVECAR(用ISTART=1)时,好像只有在一次优化中包含几个数据点优化时,(比如,一个三维结构,改变其某个方向长度相当于压缩或者拉伸的)这样好像前一个数据点生成的wavecar才能被后面的数据点利用。两次隔开的我不会用。要怎么设置才可以,结构该怎样拷过去。

还有那个vasp中说All the calculations were performed using the discrete Flourier transform 【DFT】 method, as implemented in Vienna ab initio simulation package  【VASP】,这个是什么意思,VASP不是基于密度泛函,只有us-pp和paw吗?那个离散傅里叶变换(上面DFT)究竟应该是在什么位置,起什么作用?谢谢!
12楼2012-06-19 20:43:12
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huangll99

木虫 (职业作家)

EDIFF不是控制电子部的吗
2楼2012-06-18 16:58:26
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-06-19 10:27:57
1. EDIFF 精度提高了,的确可能减少离子步数,但会增加每个离子步的时间,所以要选择要适中,一般1e-4~1e-6就可以。可以自己找一个体系测试一下。
2. 应该用后一种方法。所有结构都要优化。
3楼2012-06-19 08:52:37
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wangziyan3

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-06-19 10:28:12
leisy: 金币+8 2012-06-19 15:07:22
1 EDIFF太大则结构优化的时候容易弛豫到亚稳态而非稳态,太小则精度不够,因此从计算精确度来说必须适中,一般来说EDIFF越大计算越慢,个人经验。
K点的话一般是越多计算越慢吧,具体用多少K点要测试,保证精度的前提下少点算的快。
2 第二种,但是加氢上去以后总的还得优化,因为你不确定H跟纳米线表面的距离
4楼2012-06-19 10:17:22
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