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在催化剂表面进行改性修饰,怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成
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shijunjun
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在催化剂表面进行改性修饰,怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成
求助高手指导,我在催化剂载体表面进行修饰,怎么确定在催化剂表面有Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的存在,XPS行不?
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2012-05-29 21:27:33
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747088803
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shijunjun: 金币+5, 谢谢你的回答
2012-05-30 19:32:01
你查查红外数据吧,我知道分子筛的Si-O-T键是在960cm-1附近要出峰的
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shijunjun
2楼
2012-05-30 07:30:41
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jnyinfeng
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这个我也不懂,只好帮你顶顶。希望知道的人给你帮助
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我们是都是好朋友
3楼
2012-05-30 10:23:46
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qm13426292146
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有帮助, 谢谢详细解答
2012-05-30 19:31:27
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图,修饰之后再做一个,对比修饰之后红外谱图的差异,重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率,若峰位置发生改变,则证明有离子进入Si-O-Si结构而使其破坏。具体来说,Mg的原子质量小于Si,因此若形成Mg-O-Si结构会导致1100 cm-1左右的振动峰向高波数方向移动。
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2012-05-30 11:42:47
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leeying
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红外是最好的证明方式。另外,你可以查阅已有的文献中类似的催化剂的波数!
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5楼
2012-05-30 14:19:46
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鲤鱼lee
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我觉得是要做个红外可见光谱
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6楼
2012-05-30 16:41:44
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shijunjun
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2楼
:
Originally posted by
747088803
at 2012-05-30 07:30:41
你查查红外数据吧,我知道分子筛的Si-O-T键是在960cm-1附近要出峰的
谢谢,主要是我修饰的比较少,红外不明显,没有说服力。
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7楼
2012-05-30 19:28:13
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shijunjun
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4楼
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Originally posted by
qm13426292146
at 2012-05-30 11:42:47
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图,修饰之后再做一个,对比修饰之后红外谱图的差异,重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率,若峰位置发生改变,则证明有离子进入Si-O-Si结构 ...
谢谢你这么详细的给我解答,直视做了红外,感觉在那个位置迁移的不是很明显,没有说服力,不过依然给你金币~
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8楼
2012-05-30 19:30:00
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rensu
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shijunjun: 金币+10,
★★★
很有帮助, 谢谢您的回复,看来我还得仔细学学XPS
2012-05-31 10:57:19
XPS理论上是可以的,但估计要 1 at% 左右才能检测到。XPS的优点是检测表面上吸附的物质很灵敏。检测深度在5-10nm。
测得的结果可以和NIST数据库里的文献比对。
http://srdata.nist.gov/xps/main_search_menu.aspx
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9楼
2012-05-31 01:58:21
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最好的就是看FT-IR, 对照标准图谱,就可以判断出来了...
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2012-05-31 08:19:30
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