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shijunjun

铜虫 (小有名气)

[求助] 在催化剂表面进行改性修饰,怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成

求助高手指导,我在催化剂载体表面进行修饰,怎么确定在催化剂表面有Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的存在,XPS行不?
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努力~!
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shijunjun

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by qm13426292146 at 2012-05-30 11:42:47
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图,修饰之后再做一个,对比修饰之后红外谱图的差异,重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率,若峰位置发生改变,则证明有离子进入Si-O-Si结构 ...

谢谢你这么详细的给我解答,直视做了红外,感觉在那个位置迁移的不是很明显,没有说服力,不过依然给你金币~
努力~!
8楼2012-05-30 19:30:00
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747088803

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shijunjun: 金币+5, 谢谢你的回答 2012-05-30 19:32:01
你查查红外数据吧,我知道分子筛的Si-O-T键是在960cm-1附近要出峰的

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2012-05-30 07:30:41
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jnyinfeng

铁虫 (初入文坛)

这个我也不懂,只好帮你顶顶。希望知道的人给你帮助
我们是都是好朋友
3楼2012-05-30 10:23:46
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qm13426292146

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shijunjun: 金币+10, ★有帮助, 谢谢详细解答 2012-05-30 19:31:27
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图,修饰之后再做一个,对比修饰之后红外谱图的差异,重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率,若峰位置发生改变,则证明有离子进入Si-O-Si结构而使其破坏。具体来说,Mg的原子质量小于Si,因此若形成Mg-O-Si结构会导致1100 cm-1左右的振动峰向高波数方向移动。
4楼2012-05-30 11:42:47
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