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shijunjun

铜虫 (小有名气)

[求助] 在催化剂表面进行改性修饰,怎么确定Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的生成

求助高手指导,我在催化剂载体表面进行修饰,怎么确定在催化剂表面有Mg-o-Al键的生成或者Mg-o-Si的存在,XPS行不?
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努力~!
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rensu

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shijunjun: 金币+10, ★★★很有帮助, 谢谢您的回复,看来我还得仔细学学XPS 2012-05-31 10:57:19
XPS理论上是可以的,但估计要 1 at% 左右才能检测到。XPS的优点是检测表面上吸附的物质很灵敏。检测深度在5-10nm。

测得的结果可以和NIST数据库里的文献比对。
http://srdata.nist.gov/xps/main_search_menu.aspx
9楼2012-05-31 01:58:21
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747088803

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shijunjun: 金币+5, 谢谢你的回答 2012-05-30 19:32:01
你查查红外数据吧,我知道分子筛的Si-O-T键是在960cm-1附近要出峰的

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2楼2012-05-30 07:30:41
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jnyinfeng

铁虫 (初入文坛)

这个我也不懂,只好帮你顶顶。希望知道的人给你帮助
我们是都是好朋友
3楼2012-05-30 10:23:46
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qm13426292146

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shijunjun: 金币+10, 有帮助, 谢谢详细解答 2012-05-30 19:31:27
这个问题可以通过红外来解决。首先做一个纯SiO2的红外谱图,修饰之后再做一个,对比修饰之后红外谱图的差异,重点关注Si-O-Si在1100 cm-1左右的反对称伸缩振动频率,若峰位置发生改变,则证明有离子进入Si-O-Si结构而使其破坏。具体来说,Mg的原子质量小于Si,因此若形成Mg-O-Si结构会导致1100 cm-1左右的振动峰向高波数方向移动。
4楼2012-05-30 11:42:47
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