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liefchow

新虫 (初入文坛)

[交流] 请教RIE刻蚀PS球的工艺参数 已有4人参与

大家好!第一次在小木虫发帖请教,应该没有发错地方吧。
我最近想用RIE刻蚀PS球,将PS球的直径减小。昨天按照文献上的做了两个样品,都失败了。文献中用的功率是30W,但是我发现30W根本不能起辉,于是增加到50W。不过,刻蚀了1分钟,居然把球全部刻蚀掉了。郁闷。
我想知道大家刻蚀PS球的时候,用的参数是怎样的?如气压,功率,氧气流速,时间等参数都是怎样的?
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罗军王

银虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by liefchow at 2012-06-07 09:27:57
昨天又做了一天的实验,发现我的实验参数和文献中的差别很大啊!
430nm的球,我用50W,50SCCM条件刻蚀了24分钟,球依然坚强地存在。文献中用30W,30sccm刻蚀了120秒,就可以刻蚀掉一百微米这样。我用30W,30sccm的条 ...

请问你用的是什么型号的刻蚀机
多看多读多学习
7楼2014-06-24 15:37:54
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匿名

用户注销 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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2楼2012-05-28 13:46:16
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liefchow

新虫 (初入文坛)

谢谢,我正在摸参数,之前因为对设备不熟悉,是别人帮我做的,对设备不够了解。
现在我自己操作RIE了,发现其实31W就可以起辉的,做了几个样品,想请人帮我测试一下做的如何。
参数我会继续摸索的。
3楼2012-05-31 19:46:42
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haerbin06

铜虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
参数必须自己摸索的,没办法了...
我很好
4楼2012-05-31 20:13:07
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