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带电缺陷的优化为什么看不到形变
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在文献中看到如下图,研究的是Si3N4,168 个原子,一个N空位。通过优化我发现“中性态”和“—”的优化后的结构是一样的,看不到如图的结果 PS:我是用vasp的,对于“—”的优化,我是在“中性态”优化的结果上通过设置NELECT来设置带电状态的 请高手不吝赐教,是不是哪里错了,还是方法不对 |
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,我优化时一直没有设置NSW,但为什么以前我用这个INCAR优化缺陷结构时,发现缺陷周围的原子位置还是会动的?按理说没有离子优化,其位置是不动的;另外,NSW一般设置多大?