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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 带电缺陷的优化为什么看不到形变

在文献中看到如下图,研究的是Si3N4,168 个原子,一个N空位。通过优化我发现“中性态”和“—”的优化后的结构是一样的,看不到如图的结果
  PS:我是用vasp的,对于“—”的优化,我是在“中性态”优化的结果上通过设置NELECT来设置带电状态的
  请高手不吝赐教,是不是哪里错了,还是方法不对
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 贺仪 at 2012-05-21 22:56:08:
SYSTERM=beta silicon nitride  168
ISTART=0
#ICHARG=       !Default:if ISTART=0, 2;else 0.  
               ! 0_ Calculate charge density from initial wave function            
               !

,我优化时一直没有设置NSW,但为什么以前我用这个INCAR优化缺陷结构时,发现缺陷周围的原子位置还是会动的?按理说没有离子优化,其位置是不动的;另外,NSW一般设置多大?
7楼2012-05-22 12:26:15
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贺仪

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 谢谢指教 2012-05-21 15:24:17
xiaoluoj: 金币+5 2012-05-22 12:21:19
有没有变化不是你能看出来的,你查看POSCAR里面的坐标就知道了
嘟啦啦嘟啦啦嘟
2楼2012-05-21 08:18:55
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 贺仪 at 2012-05-21 08:18:55:
有没有变化不是你能看出来的,你查看POSCAR里面的坐标就知道了

我是通过对比坐标,没有变化
3楼2012-05-21 14:28:42
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贺仪

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by xiaoluoj at 2012-05-21 14:28:42:
我是通过对比坐标,没有变化

有这种可能,毕竟这个是周期性的体系,最稳定的结构肯能会一样,具体的没试过。
但我觉得不管你怎么优化,在你优化完后,再用同样的优化方式去优化 坐标都会有变化的,不可能完全一样,我觉得你这个优化过程有问题。
嘟啦啦嘟啦啦嘟
4楼2012-05-21 16:52:00
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