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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » 缺陷越大，空位形成能越小？
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沐浴晨光_7月

银虫 (小有名气)

[交流] 缺陷越大，空位形成能越小？

7个Si的空位（8个Si拿掉1个）的形成能比64个Si的空位（8个Si拿掉1个）形成能要小！！
E=Ed*N+1/N-Ee
Ed表示缺陷Si
Ee表示完整Si
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1楼 2012-05-05 21:27:56
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xueht987

木虫 (正式写手)
★ ★
沐浴晨光_7月(金币+1): 谢谢参与
贺仪: 金币+1, 谢谢指教！ 2012-05-09 08:48:28
若果两者缺陷浓度一样的话，可以根据周期性边界条件考虑空位之间的影响。
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2楼2012-05-06 14:47:25
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★ ★
沐浴晨光_7月(金币+1): 谢谢参与
贺仪: 金币+2, 专家考核, 谢谢指教！ 2012-05-09 08:48:36
两者的可比性不大，原因之一如上贴恢复。

你可以考虑两个体系的浓度是不同的。
赞一下 回复此楼
3楼2012-05-08 16:25:01
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