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金虫 (正式写手)

[交流] SiC是氧化温度 已有6人参与

SiC的氧化温度大概是多少？其大概在什么温度时就会开始发生氧化？
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1楼 2012-05-02 10:31:29
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金虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 黄立军2008 at 2012-05-03 01:10:11:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度 ...

那么我制备的SiC薄膜呢？这样的薄膜什么温度开始氧化
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7楼2012-05-03 07:46:12
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rwjghost

至尊木虫 (职业作家)

双草籽儿
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 鼓励！！ 2012-05-02 19:28:09
dengwei_19: 金币+1, 专家考核 2012-05-03 08:07:12
dengwei_19: 金币-1, 以鼓励 不重复 2012-05-03 08:07:36
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜　受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早损坏。


LZ最好注明自己的SiC材料用途。。。。否则，这个数据的参考性不是很大
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2楼2012-05-02 14:46:09
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jiehu

银虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 鼓励！！ 2012-05-02 19:28:17
同粒度关系大，1500度左右。
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3楼2012-05-02 14:57:38
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金虫 (正式写手)
★
tjcdp: 金币+1, 鼓励反馈！ 2012-05-02 19:28:30
引用回帖:
2楼: Originally posted by rwjghost at 2012-05-02 14:46:09:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度 ...

我只是想问下大概的氧化温度，800开始氧化，现在理解了，谢谢
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4楼2012-05-02 15:05:25
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