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金虫 (正式写手)

[交流] SiC是氧化温度 已有6人参与

SiC的氧化温度大概是多少?其大概在什么温度时就会开始发生氧化?
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jiehu

银虫 (小有名气)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 鼓励!! 2012-05-02 19:28:17
同粒度关系大,1500度左右。
3楼2012-05-02 14:57:38
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rwjghost

至尊木虫 (职业作家)

双草籽儿

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
tjcdp: 金币+1, 鼓励!! 2012-05-02 19:28:09
dengwei_19: 金币+1, 专家考核 2012-05-03 08:07:12
dengwei_19: 金币-1, 以鼓励 不重复 2012-05-03 08:07:36
SiC电热元件的氧化性能如下:
元件在空气中使用到800℃时开始氧化,温度达到1000-1300℃时,发热部表面生成一层二氧化硅保护膜,1300℃时结晶出石英,在1500℃时,保护膜达到一定的厚度,从而使 元件的氧化速度变得极为缓慢,趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜 受到破坏,氧化速度显著增加,造成元件过早损坏。


LZ最好注明自己的SiC材料用途。。。。否则,这个数据的参考性不是很大
新虫(10)、铁虫(50)、铜虫(200)、银虫(500)、金虫(1.5k)、木虫(5k)、铁杆木虫(1w)、至尊木虫(5w)、木虫之王(10w)、神虫浮云(9999999)
2楼2012-05-02 14:46:09
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步步高升步步

金虫 (正式写手)


tjcdp: 金币+1, 鼓励反馈! 2012-05-02 19:28:30
引用回帖:
2楼: Originally posted by rwjghost at 2012-05-02 14:46:09:
SiC电热元件的氧化性能如下:
元件在空气中使用到800℃时开始氧化,温度达到1000-1300℃时,发热部表面生成一层二氧化硅保护膜,1300℃时结晶出石英,在1500℃时,保护膜达到一定的厚度,从而使 元件的氧化速度 ...

我只是想问下大概的氧化温度,800开始氧化,现在理解了,谢谢
4楼2012-05-02 15:05:25
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黄立军2008

木虫 (小有名气)

★ ★ ★
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dengwei_19: 金币+2, 有进一步文献说明更信服 2012-05-03 08:08:47
SiC电热元件的氧化性能如下:
元件在空气中使用到800℃时开始氧化,温度达到1000-1300℃时,发热部表面生成一层二氧化硅保护膜,1300℃时结晶出石英,在1500℃时,保护膜达到一定的厚度,从而使 元件的氧化速度变得极为缓慢,趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜 受到破坏,氧化速度显著增加,造成元件过早损坏。


这个说的不全面吧,你们说的SiC制品,对于粉体来说,与粒度关系很大,实际上粒径在0.5微米左右的在700度就开始氧化了。
5楼2012-05-03 01:10:11
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