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金虫 (正式写手)

[交流] SiC是氧化温度已有6人参与

SiC的氧化温度大概是多少？其大概在什么温度时就会开始发生氧化？
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1楼2012-05-02 10:31:29
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金虫 (正式写手)
★
tjcdp: 金币+1, 鼓励反馈！ 2012-05-02 19:28:30
引用回帖:
2楼: Originally posted by rwjghost at 2012-05-02 14:46:09:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度 ...

我只是想问下大概的氧化温度，800开始氧化，现在理解了，谢谢
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4楼2012-05-02 15:05:25
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金虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 黄立军2008 at 2012-05-03 01:10:11:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度 ...

那么我制备的SiC薄膜呢？这样的薄膜什么温度开始氧化
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7楼2012-05-03 07:46:12
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金虫 (正式写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by rwjghost at 2012-05-03 08:48:15:
回复里已经写清楚了，LZ给的标题稍微宽泛了些

恩，我想做的是SiC和氧化铝的的薄膜，想利用SiC的氧化来增加涂层的致密性，所以很想知道，SiC的开始氧化温度是多少
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11楼2012-05-03 09:52:33
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