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1楼2012-05-02 10:31:29

回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

rwjghost

至尊木虫 (职业作家)

双草籽儿

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dengwei_19: 金币+1, 专家考核 2012-05-03 08:07:12
dengwei_19: 金币-1, 以鼓励不重复 2012-05-03 08:07:36

SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜　受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早损坏。

LZ最好注明自己的SiC材料用途。。。。否则，这个数据的参考性不是很大

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2楼2012-05-02 14:46:09

普通回帖

jiehu

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同粒度关系大，1500度左右。

3楼2012-05-02 14:57:38

步步高升步步

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引用回帖:

2楼: Originally posted by rwjghost at 2012-05-02 14:46:09:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度 ...

我只是想问下大概的氧化温度，800开始氧化，现在理解了，谢谢

4楼2012-05-02 15:05:25

黄立军2008

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dengwei_19: 金币+2, 有进一步文献说明更信服 2012-05-03 08:08:47

SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜　受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早损坏。

这个说的不全面吧，你们说的SiC制品，对于粉体来说，与粒度关系很大，实际上粒径在0.5微米左右的在700度就开始氧化了。

5楼2012-05-03 01:10:11

黄立军2008

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zhangquan8385: 金币+1, 鼓励 2012-05-03 08:13:02

至于1500度更是无稽之谈

6楼2012-05-03 01:11:10

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引用回帖:

5楼: Originally posted by 黄立军2008 at 2012-05-03 01:10:11:
SiC电热元件的氧化性能如下：
元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度 ...

那么我制备的SiC薄膜呢？这样的薄膜什么温度开始氧化

7楼2012-05-03 07:46:12