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SiC是氧化温度 已有6人参与
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| SiC的氧化温度大概是多少？其大概在什么温度时就会开始发生氧化？ |
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SiC电热元件的氧化性能如下： 元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜 受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早损坏。 LZ最好注明自己的SiC材料用途。。。。否则，这个数据的参考性不是很大 |
2楼2012-05-02 14:46:09
3楼2012-05-02 14:57:38
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4楼2012-05-02 15:05:25
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SiC电热元件的氧化性能如下： 元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000－1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护膜，1300℃时结晶出石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使 元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定。如果继续升温至1627℃以上时,则保护膜 受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早损坏。 这个说的不全面吧，你们说的SiC制品，对于粉体来说，与粒度关系很大，实际上粒径在0.5微米左右的在700度就开始氧化了。 |
5楼2012-05-03 01:10:11
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