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xw2008

铜虫 (小有名气)

[求助] 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?

请教大家:在用MS的CASTEP模块做计算,我优化结构的同时计算出的带隙值,比算能量时算出的带隙值大好多?为什么?
  LDA+U ,截止能:550eV,K点(3*3*3)。晶格常数跟实验室相比误差小,相符合。
优化结构的同时计算出的带隙值:2.449eV     接近实验值。
然后算单点能时再次算出算出的带隙值 1.669eV。
两次计算那个更合理?大家平时都是怎样算带隙值的?
请大家帮忙分析下。谢谢!
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校

引用回帖:
9楼: Originally posted by Toapollo at 2012-05-01 07:39:12
问题应该出在LDA+U上。
一般情况下,优化结构得到的能带参数与性质计算得到的结果应该相差无几的。
你把所得的结果减去U值试试看,即E1=E2+U

楼主 您好 请问您在计算时 加U是从计算的什么阶段开始加的 是收敛性测试 还是几何结构优化 还是后面计算其他性质时加的  我知道的有3种方法 不知道合适不合适 求指导  一种是 收敛性测试时不加U 然后几何结构优化时 也不加U  在几何结构优化后 ,计算能带和态密度以及其他性质时,加U  ;另外一种方法是 收敛性测试时 不加U 几何结构优化时 加U 此时不计算任何性质 只计算单点能, 在几何结构优化结束后,然后计算其他性质时,继续加U,获得计算结果;最后一种方法是 收敛性测试时不加U,结合结构优化时加U并且同时选择计算能带结构和态密度以及其他性质。 我做的体系中有过渡金属,所以向楼主请教
孤狼
20楼2013-11-30 20:39:05
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xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-29 13:38:22
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢帮助 2012-04-29 14:11:45
一般的的LDA和GGA晶格优化会导致晶格膨胀、低估带隙,这都是正常的。对于你的问题毫无疑问应该采用优化的结果。
2楼2012-04-29 13:33:11
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xw2008

铜虫 (小有名气)

我看到:有的人优化结构时,同时勾选能带态密度的计算。也有人优化完了才算能带和态密度。
第一次:我优化结构的同时计算出的带隙值为2.449eV ,
第二次:优化完成后,在计算单点能时,勾选能带,算出的带隙值 1.669eV。
第三次:打开优化后的胞,calculation properties时,勾选上能带和态密度。此结果刚也出来,也是:2.449eV。
三次的设置精度和参数相同。
以前差不多,但是这次不会判断。这三次就怎样才对呢?为什么?
3楼2012-04-29 14:22:16
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢指教 2012-04-29 17:12:17
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的帮助 2012-04-29 19:02:22
结构优化时只选择Gamma点,但是计算能量时选得K点却会密集一些,所以结果有偏差是正常的。但是应该要先做结构优化,然后再去计算其他的性质。
frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
4楼2012-04-29 15:08:09
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